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モリブデンリング&ディスク
詳細
材料:純粋モリブデン 99.95%Min
密度10.2g/cc
溶融点: 2610C
我々は顧客の要求に応じて製造することができます
電気の優れた伝導性
高温耐性
高度な溶融点,高酸化と侵食耐性
化学的要件
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エレメント |
ニ |
塩分 |
フェ |
Pb |
アール |
バイ |
そうだ |
Cd |
CA について |
P |
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濃度 (%) |
0.003 |
0.002 |
0.005 |
0.0001 |
0.002 |
0.0001 |
0.002 |
0.0001 |
0.002 |
0.001 |
|
エレメント |
C について |
オー |
N |
Sb |
Sn |
モー |
|
|
|
|
|
濃度 (%) |
0.01 |
0.003 |
0.003 |
0.0005 |
0.0001 |
バランス |
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パラメータ
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原子番号 |
42 |
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CAS番号 |
7439-98-7 |
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原子質量 |
95.94 [g/mol] |
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溶融点 |
2620 °C |
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沸点 |
4639 °C |
|
密度 20 °C |
10.22 [g/cm] |
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結晶構造 |
身体を中心とした立方体 |
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20 °C の線形熱膨張係数 |
5.210-6 [m/mK] |
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20°Cでの熱伝導性 |
142 [W/mK] |
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20 °C の特異熱 |
0.25 [J/gK] |
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電気伝導性 20 °C |
17.9106 [S/m] |
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20°Cの特異電圧抵抗 |
0.056 [mm2/m] |
申請
モリブデン環は,電源半導体装置や熱シンクベースのためのシリコン制御直導二極管,トランジスタ,チリスターマウント材料の接触材料として広く使用されています.
特徴
1モリブデンディスクは,シリコン制御直導体,トランジスタ,タイリスターのダイオードに接触材料として広く使用されています.
2さらに,IC,LSIおよびハイブリッド回路における熱シンクベースとしてモリブデンディスクの使用を含む.
3モリブデンディスクは,真空スイッチで接触端末として広く使用されています.
4モリブデンディスクは,加熱シンタリングトレイ,シンタリングボート,ベースプレート,サポートディスクの製造にも使用されます.
電子および真空アプリケーションにおけるチュージブル
5発射対象として使われています