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99.95% 純タングスタン製品 半導体用タングスタンリング
紹介
グレード:W 1
純度>99.95%
密度: 17.1 g/cm 3-19.3 g/cm 3
サイズ:直径 > 10 mm *厚さ > 0.1 mm
加工方法:冷物巻き/機械加工
表面: 磨いた表面/加工された表面
色:金属色
条件:真空焼却
溶融点: 3410度
沸点 5927 度
配達時間: 3~10日
パラメータ
|
分子重量 |
183.85 |
|---|---|
|
外見 |
銀色 |
|
溶融点 |
3410 °C |
|
沸点 |
5900 °C |
|
密度 |
19.3g/cm3 |
|
H2O に溶解性 |
N/A |
|
電気抵抗性 |
5.65 μΩ ·m (27 °C) |
|
電子負の力 |
1.7 パウリングス |
|
融合 の 熱 |
35.3 kJ/mol |
|
蒸発する熱 |
806.7 kJ/mol |
|
ポイスン比 |
0.28 |
|
特定熱量 |
0.133 J/g mol (20 °C) |
|
張力強度 |
750 MPa |
|
熱伝導性 |
1.73 W/m K |
|
熱膨張 |
(25 °C) 4.5 μm·m-1·K-1 |
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ヴィッカース硬さ |
3430 MPa |
|
ヤングのモジュール |
411 GPa |
ワルフタンリングの用途
1半導体,化学蒸気堆積 (CVD) と物理蒸気堆積 (PVD) のディスプレイおよび光学アプリケーションに広く使用されています.
2電子や真空用途における電極,加熱要素,ヒートシールド,シンタリングトレイ,シンタリングボート,スタッピングシート,ベースプレート,スプッターターゲット,チュージブルの製造に使用される.
3自動車モーターのコンタクトとして使用できます.