CVD化学気相成長炉 1000℃ 溶解加熱炉
製品仕様
属性 |
値 |
用途範囲 |
産業用 |
タイプ |
電気保持炉 |
使用法 |
セラミック焼結 |
燃料 |
電気 |
雰囲気 |
窒素 |
有効チャンバー寸法 |
640*640*250mm (W*H*D) |
輸送パッケージ |
木製パッケージ |
仕様 |
1200*1200*1500mm |
商標 |
Chitherm |
原産地 |
中国 |
HSコード |
8514101000 |
供給能力 |
50セット/年 |
カスタマイズ |
利用可能 |
認証 |
ISO |
設置スタイル |
垂直 |
製品概要
MBF100-10型化学気相成長(CVD)炉は、電子製品の中温熱処理用に設計されています。窒素、ヘリウム、アセチレン、水素雰囲気下で気相反応プロセスを実行し、保護雰囲気下での焼結プロセスにも使用できます。
技術仕様
- 定格温度: 750℃
- 最高温度: 1000℃
- 加熱ゾーン寸法: 770 × 770 × 300 mm (W × D × H)
- 有効寸法: 640 × 640 × 250 mm (W × D × H)
- 外側チャンバー材質: SUS310S
- 内側ライナー材質: 溶融石英
- 製品サイズ: φ120
- 装置容量: バッチあたり16枚の基板
- 最大加熱電力: 16 kW
- 加熱方法: 下部 + 四側面
- 温度制御ポイント: 下部 + 側面
- 熱電対タイプ: K型
- 加熱速度: ≤8℃/分
- 発熱体: FECセラミックファイバーヒーター
- 炉扉開閉方法: 上開き設計
- 温度制御安定性: ±1℃
- 温度制御計器: 輸入PIDコントローラー(自動調整機能付き)
- プログラムステップ: 20ステップ
- アラームと保護: 過熱、熱電対断線アラーム(電源オフ保護付き)
- 表面温度上昇: <35℃
- 重量: 約500kg
- 炉寸法: 約1200×1200×1500mm (W×H×D)
納品リスト
項目 |
備考 |
数量 |
基本構成 |
炉 |
1台 |
検査証明書 |
炉および主要購入部品 |
1セット |
技術文書 |
炉仕様、主要購入部品の技術文書 |
1セット |
質量流量コントローラー(MFC) |
YamatakeまたはHORIBA |
4セット |
タッチスクリーン |
|
1台 |
温度コントローラー |
|
1セット |
FECヒーター |
|
1セット |
石英ライナー |
|
1セット |
SSR |
|
1台 |
設備要件
- 環境条件: 温度0~40℃、湿度≤80%RH、腐食性ガスなし、強い気流の乱れなし
- 接地要件: 水平、明らかな振動なし、耐荷重>500Kg/m²
- 電源条件: 容量22kVA以上、3相5線、電圧220/380V、周波数50Hz
- 設置場所: 1500mm×1500mm×3000mm (W×H×D)、設置面積2.5m²以上