Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

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高EAS能力 低Rds ((ON) トレンチプロセス MOSFET 同期直直直

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製品説明:

低電圧MOSFETは半導体装置で,現代の電子回路の不可欠な部品となっています.高効率とパフォーマンスを維持しながら,低電力レベルで動作するように設計されています低電圧電源MOSFETは,低電耗が重要なアプリケーションのニーズに対応するために特別に作成されています.このMOSFETはエネルギーが最も効率的に利用されることを保証します電池駆動装置の寿命を延長する.

低電圧MOSFETの主要な属性の1つは,低Rds ((ON) と呼ばれる低オン状態抵抗である.Rds ((ON) パラメータは,MOSFETの効率を決定する重要な要因である.MOSFET が導力しているとき,熱として消耗される電力が少なくなります.低ゲート電圧MOSFETは,例外的に低いRds ((ON) を提供します.高効率の電源管理アプリケーションに適している.

低電圧MOSFETのもう1つの重要な側面は,High Energy Avalanche and Commutation Ruggedness (EAS) 能力である.この機能により,MOSFETは故障なく高エネルギーパルスに対応できます.高いEAS能力は,MOSFETが高臨時電圧にさらされているアプリケーションにおいて特に重要です.装置の安定性と耐久性を確保する.

低ゲート電圧MOSFETの製造に使用される革新的なスーパージャンクション技術 (SGT) プロセスは,これらのデバイスを区別する主要な利点の一つです.SGTプロセスは功績数 (FOM) の最適化に突破をもたらしますMOSFETの性能を測定するものです. FOMを最適化することで,SGTプロセスは,より幅広いアプリケーションをカバーしながら,優れた性能を提供するMOSFETの作成を可能にします..

低電圧MOSFETの様々な用途は,その多用性と有効性を強調しています.低電圧電源MOSFETは,電力の損失を最小限に抑えながら,モーターの速度と方向に正確な制御を提供します.5Gベースステーションは,低電圧MOSFETが輝く別のアプリケーションです.次の世代の無線通信ネットワークに必要な速度と信頼性を提供するエネルギー貯蔵システムは,MOSFETの低電力消費から恩恵を受け,より持続可能で効率的なエネルギー管理に貢献します.

さらに,低ゲート電圧MOSFETは,パフォーマンスや効率を損なうことなく迅速な切り替えが必要である高周波スイッチアプリケーションに最適です.低電圧MOSFETが優れている別の分野です交流電流 (AC) を最小限の電源損失で直流 (DC) に変換する能力を提供し,これは電源装置において極めて重要です.

結論として,低電圧MOSFETは,低電力消費,低Rds ((ON) と高いEAS能力を組み合わせた先進的な半導体装置です.SGTプロセスの利点を利用して,革新的なFOM最適化を提供し,幅広いアプリケーションに対応できます.5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線など低電圧 MOSFET の 堅牢 な 設計 と 卓越 し た 性能 は,エネルギー 効率 的 な 電子 ソリューション の 探求 に 必要 な 部品 に なり ます.


特徴:

  • 製品名:低電圧MOSFET
  • 効率: 高 効率 で 信頼 できる
  • SGTプロセス 適用:モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線
  • 抵抗: 性能向上のために低Rds ((ON)
  • トレンチプロセスの利点: RSP が小さく,シリーズと並列の構成の両方が自由に組み合わせられ,利用できます
  • 構造工事:設計の柔軟性を最大限に高めるため,トレント/SGT
  • Low Vgs MOSFET: 低ゲート駆動電圧を必要とするアプリケーションに最適
  • 低電圧場効果トランジスタ:最小電圧要求で効率的な電源制御を保証する
  • 低RDS (オン) 低電圧場効果トランジスタ: 導電損失を減らすことでより高い効率を提供します.

技術パラメータ:

パラメータ 詳細
製品名 低電圧MOSFET
トレンチ プロセス の 利点 小型のRSP,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせられ,利用できます
トレンチプロセスの応用 ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバ,DC/DC変換器,高周波スイッチ,同期矯正
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化,より多くのアプリケーションをカバーする
SGTプロセスの適用 モータードライバ,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
効率性 高効率 で 信頼 できる
抵抗力 低Rds ((ON)
EAS 能力 高いEAS能力
構造プロセス トレンチ/SGT
電力消費量 低電力損失

応用:

REASUNOSブランドは,革新的な信頼性の高い電子部品で有名です.幅広い用途とシナリオに対応するように設計されていますCNの広東で製造され,これらのMOSFETは,高性能で省エネなアプリケーションに適しています.

REASUNOS低電圧フィールド効果トランジスタは,低Rds ((ON) 抵抗性により,効率的なパフォーマンスを提供しながら最小限の電力損失を必要とするシナリオに理想的です.このMOSFETの高いEAS能力が強さを保証します特に高エネルギーパルスにさらされるアプリケーションでは,様々な電子回路で非常に信頼性があり,産業における広範な使用に貢献しています.

REASUNOSのTrench低電圧MOSFETは,アプリケーションに関しては,汎用性があります. 効率的な電力管理と転送を提供するために,無線充電セットアップで一般的に使用されています.急速充電技術の応用により,安全性や効率性を犠牲にせずに電子機器の急速充電時間を達成できます低電圧の電源MOSFETが必要で,低熱発生で高いスイッチ周波数に対応できるため,モータードライバーもこれらのMOSFETから恩恵を受けます.DC/DC変換機は,電源変換プロセスにおけるエネルギー効率を維持するために,これらのトランジスタの低電力損失特性を活用する.

さらに,Trench Low Voltage MOSFETは低電力消費で高速で動作する能力があるため,高周波スイッチにとって優れた選択肢です.同期直線におけるその適用は,電力の消耗を削減し,電源システムの全体的な効率を改善する能力を示しています.

REASUNOS MOSFETのパッケージには,防塵,防水,反静的管状のパッケージが含まれます.輸送中に最大限の保護を保証するために,紙箱の中に入れる.配送時間は,注文された総量に応じて2日から30日です.価格については,購入したい製品に基づいて価格を確認することをお客様にお勧めします.支払い条件は簡単です100%T/T Advance (EXW) で,供給能力は月5KK単位で強固です.

要するに,REASUNOS トレンチ低電圧MOSFETは,高品質で汎用的な部品で,幅広い電源敏感なアプリケーションに適しています.性能と信頼性のために電子設計を最適化したいメーカーとエンジニアにとって,それを選択します..


サポートとサービス

低電圧MOSFET製品には 半導体から最大限の利益を得るための 総合的な技術サポートとサービスが付いています効率性詳細な製品ドキュメント,広範なアプリケーションノート,MOSFETを設計に効率的に組み込むことができます.

また デバイスの選択や 熱シミュレーションや 電気性能予測に役立つ オンラインツールやソフトウェアも提供しています設計を最適化して最大効率を上げることができる.

これらのリソースに加えて,設計,テスト,または導入段階で発生する問題を解決するためにトラブルシューティング支援を提供します.私たちの経験豊富なエンジニアのチームは,あなたの製品が最高の動作を保証するためにガイドと勧告を提供するために利用可能です.

低電圧モスフェット技術に関する様々なトピックをカバーする ウェブセミナーやトレーニングセッションを 開催しています設計技術産業のベストプラクティス

低電圧MOSFET製品の技術サポートとサービスを通じて最高レベルの顧客満足度を提供することにコミットしています.電子デザインの卓越性を実現するために必要な知識とツールを提供することです.


梱包と輸送:

低電圧MOSFET製品は,安全な輸送と取り扱いを確保するために,静電防止保護包装に慎重に包装されています.各MOSFETは,電気損傷を防ぐために個別にパッケージされています.

商品は,MOSFETの寸法に合わせて設計された,特別にマッサージされた箱に入れられ,運送中に機械的衝撃から追加の保護を提供します.

大きい注文では,これらの箱は,移動や潜在的な衝撃を防ぐために,頑丈な外側の箱にさらに固定されています.外包箱には,取り扱いの指示と電子部品のための必要な警告標識が明示されています..

すべてのパッケージは詳細な梱包リストと購入注文のコピーを添付します. 追跡情報は,出荷がすぐに提供されます.配達状況のリアルタイムモニタリングを可能にする.


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