製品
サプライヤー
Sign in
Register
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
電力半導体システムのソリューションプロバイダー
Manufacturer from China
確認済みサプライヤー
3 年
ホーム
製品カタログ
会社概要
品質管理
お問い合わせ
引用を要求
日本語
English
Français
Русский язык
Español
Português
高い発電MOSFET (20)
炭化ケイ素MOSFET (20)
スーパージャンクション MOSFET (20)
シリコンカービッドSBD (27)
高圧MOSFET (40)
低電圧MOSFET (40)
高功率 IGBT (10)
ショットキー バリア・ダイオード (10)
高功率半導体 (20)
SIC パワー半導体 (10)
アンギュラ玉軸受 (1)
ホーム
/
製品
/
High Power IGBT
/
安定した充電台 超高速 IGBT 産業用隔離ゲート 二極トランジスタ
/
show pictures
製品カテゴリ
高い発電MOSFET
[20]
炭化ケイ素MOSFET
[20]
スーパージャンクション MOSFET
[20]
シリコンカービッドSBD
[27]
高圧MOSFET
[40]
低電圧MOSFET
[40]
高功率 IGBT
[10]
ショットキー バリア・ダイオード
[10]
高功率半導体
[20]
SIC パワー半導体
[10]
アンギュラ玉軸受
[1]
企業との接触
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
ウェブサイトにアクセスします
シティ:
dongguan
省/州:
guangdong
国/地域:
china
連絡窓口:
MrsJoan Tian
表示連絡先の詳細
企業との接触
安定した充電台 超高速 IGBT 産業用隔離ゲート 二極トランジスタ
製品の詳細
製品説明: 高電源IGBTは,高電源双極トランジスタの一種,特に隔離ゲート双極トランジスタ (IGBT) の一種である.低導電損失の優れた組み合わせです高いスイッチ周波数,高い信頼性,高い電流密度 ハイパワーIGBTは,電流密度400A/cm2と使用頻度60KHzを有する.また,狭いメッサ設計,より...
製品詳細図 →
商品のタグ:
感電器のエネルギー貯蔵
パワーモスフェットモデル
リチウムイオン貯蔵型インバーター