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SGTからLow Voltage MOSFETを導入し,より多くのアプリケーションをカバーする革新的なFOM最適化です.この低ゲート電圧モスフェットは,様々なモータードライバーで使用することを可能にする低電力損失と低しきい電圧を提供しています5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線,無線充電,高速充電,DC/DCコンバーターこのSGT低電圧MOSFETは,電力消費量が低くなることを保証します.この製品は,これらのアプリケーションで最適なパフォーマンスのための完璧な選択です.
| 属性 | 記述 |
|---|---|
| 構造プロセス | トレンチ/SGT |
| トレンチプロセスの応用 | ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正 |
| SGT プロセスの利点 | 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします |
| 製品名 | 低電圧MOSFET |
| 電力消費量 | 低電力損失 |
| SGTプロセスの適用 | モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正 |
| EAS 能力 | 高いEAS能力 |
| トレンチ プロセス の 利点 | 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます. |
| 効率性 | 高効率 で 信頼 できる |
| 抵抗力 | 低Rds ((ON) |
| MOSFET 低スリージングル電圧 | MOSFET 低スリージングル電圧 |
| 低電圧トランジスタ | 低電圧トランジスタ |
| 低ゲート電圧MOSFET | 低ゲート電圧MOSFET |
REASUNOSのLow Voltage Field Effect トランジスタ (Low Voltage MOSFET) は 自動車ドライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチシンクロン直線など低電圧MOSFETは,製品によって確認できる価格で提供されています. 防塵,防水,防静的管状の包装配送時間は,総量に応じて,通常2~30日です. 支払条件は,100%T/T Advance (EXW) で,供給能力は5KK/月です.低電圧MOSFETは,突破的なFOM最適化を提供するTrench/SGTプロセスを備えていますまた,高いEAS能力,高効率,信頼性も備えています.
私たちは低電圧MOSFET製品に 最高品質の技術サポートとサービスを提供することに専念しています経験豊富なエンジニアと技術者のチームは,あなたの質問に答え,あなたのアプリケーションのための最良のソリューションを見つけるのに役立ちます.
私たちは幅広いサービスを提供します.
低電圧 MOSFET 製品に対する最高のサポートを提供することです.質問や支援が必要な場合は,ご連絡ください.
低電圧MOSFETは,品質と性能を保証するために 静止のないパッケージで出荷されます.静電がMOSFETを損傷するのを防ぐために,アンチステティック袋または他のアンチステティック材料を含める必要があります.さらに,包装は,部品を湿度やその他の環境被害から保護するように設計されるべきです.MOSFET を適切に保管し,取り扱う方法に関する詳細な指示を含む.