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スーパージャンクションMOSFETは,LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,および新エネルギー電源機器のための電源分離装置です.多層エピタキシープロセスで作られていますトレンチプロセスと比較して優れたAnti EMIとAnti Surge Capabilitiesを持っています. それは超低ジャンクション容量と超小パッケージを持っています. したがって,これはSJ MOSFETにとって理想的な選択ですスーパーMOSFETとスーパージャンクションパワーMOSFETアプリケーション.
| パラメータ | 詳細 |
|---|---|
| 製品名 | 超交差点MOSFET/SJ MOSTET |
| タイプ | N型 |
| 適用する | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
| 装置の種類 | 電源を分離する装置 |
| パッケージ | 超小型パッケージ |
| 容量 | 超低回路容量 |
| 内面 の 抵抗 | 極小な内抵抗 |
| EMI マージン | 高いEMI手数料 |
| 利点 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
REASUNOSスーパージャンクションMOSFETは,中国の広東で製造されたSiスーパージャンクションパワーMOSFETである.内部抵抗が非常に小さいし,ジャンクション容量は非常に低い.LEDドライバーに適していますPFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS,そして新しいエネルギー電源機器.その価格は製品によって確認され,そのパッケージは防塵,防水,防静的管状の包装納期は2~30日 (総量によって異なります) で,支払い条件は100%T/T先払いです.REASUNOSは,超小型パッケージタイプNのスーパージャンクションMOSFETのために月5KKを提供することができます.
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