半導体工業のためのモリブデンの放出させるターゲット
1. 半導体工業のためのモリブデンの放出させるターゲットの記述:
モリブデンは高温に拡張の顕著な機械質、低い係数、強い熱伝導性および特別に高い電気伝導率の多目的で処理し難い金属である。純粋なモリブデン ターゲット、モリブデンのチタニウム ターゲット、モリブデンのタンタル ターゲットおよびモリブデンの合金ターゲットを含む放出させるターゲットとして、使用することができる多数の組合せがある（TZMの版のような）。
材料は酸化物または窒化物のような物質に半導体のために含んでいるタングステン、モリブデン、ニオブ、チタニウムおよびケイ素のような純粋な金属ターゲットを、その上に使用した。コーティング プロセス中完全なエンジニアおよび科学者が物質的な選択手順であること沈殿オペレーティング パラメータとして重大。
2. 半導体工業のためのモリブデンの放出させるターゲットのサイズ:
厚さ: <20mm>
直径: <300mm>
表面:磨かれる
標準:ASTM B386
他のサイズは顧客のデッサンに従って処理することができる。
3. 半導体工業のためのモリブデンの放出させるターゲットの化学内容:
| 定量分析 |
| 要素 |
NI |
Mg |
Fe |
Pb |
Al |
Bi |
Si |
CD |
カリフォルニア |
P |
| 集中（%） |
0.003 |
0.002 |
0.005 |
0.0001 |
0.002 |
0.0001 |
0.002 |
0.0001 |
0.002 |
0.001 |
| 要素 |
C |
O |
N |
Sb |
Sn |
|
|
|
|
|
| 集中（%） |
0.01 |
0.003 |
0.003 |
0.0005 |
0.0001 |
|
|
|
|
|
| 純度（金属基盤） Mo ≥99.95% |
| 要素 |
NI |
Mg |
Fe |
Pb |
Al |
Bi |
Si |
CD |
P |
| 集中（%） |
0.0014 |
<0>
| 0.0047 |
<0>
| 0.0002 |
<0>
| <0>
| <0>
| <0>
|
| 要素 |
C |
N |
Sb |
Sn |
CU |
|
|
|
|
| 集中（%） |
0.0021 |
0.03 |
<0>
| <0>
| <0>
| |
|
|
|
| 純度（金属基盤） Mo ≥99.97 |
|
4.
半導体工業のためのモリブデンの放出させるターゲットの物理的なおよび機械特性:
| 特性 |
純粋なモリブデン |
添加されたモリブデン |
高温モリブデンの合金 |
| 原子係数 |
42 |
|
|
| 原子量（m） |
95.95 |
|
|
| 格子定数（a） |
ボディによって集中させる立方体 |
3.14' 10-10 |
|
|
| 密度（r） |
10.2g/cm3 |
|
|
| 融点（t） |
2620±10℃ |
|
|
| 沸点（t） |
4800℃ |
|
|
| 線形拡張係数（a1） |
20℃ |
5.3' 10-6/K |
5.3' 10-6/K |
5.3' 10-6/K |
| 20-1000℃ |
5.8' 10-6/K |
5.8' 10-6/K |
5.8' 10-6/K |
| 20-1500℃ |
6.5' 10-6/K |
6.5' 10-6/K |
6.5' 10-6/K |
| 比熱（u） |
20℃ |
0.25J/g·K |
0.25J/g·K |
0.25J/g·K |
| 1000℃ |
0.31J/g·K |
0.31J/g·K |
0.31J/g·K |
| 2000℃ |
0.44J/g·K |
0.44J/g·K |
0.44J/g·K |
| 熱伝導性（l） |
20℃ |
142 W/m·K |
142 W/m·K |
126 W/m·K |
| 1000℃ |
105 W/m·K |
105 W/m·K |
98 W/m·K |
| 1500℃ |
88 W/m·K |
88 W/m·K |
86 W/m·K |
| 抵抗（r） |
20℃ |
0.052mWm |
0.065mWm |
0.055mWm |
| 1000℃ |
0.27mWm |
0.28mWm |
0.31mWm |
| 1500℃ |
0.43mWm |
0.43mWm |
0.45mWm |
| 2000℃ |
0.60mWm |
0.63mWm |
0.66mWm |
| 放射エネルギー |
730℃ |
5500.0W/m2 |
|
|
| 1330℃ |
6300.0W/m2 |
|
|
| 1730℃ |
19200.0W/m2 |
|
|
| 2330℃ |
700000.0W/m2 |
|
|
| 熱中性子の吸収横断面 |
2.7' 10-28m2 |
2.7' 10-28m2 |
2.7' 10-28m2 |
| 引張強さ（Sb） |
0.10-8.00mmの版 |
590~785MPa |
450~520MPa |
690~1130MPa |
| f0.80ワイヤー |
1020MPa |
1570MPa |
|
| 降伏強さ（S0.2） |
0.10-8.00mmの版 |
540~620MPa |
290~360MPa |
620~1000MPa |
| 延長（%） |
0.10-8.00mmの版 |
3~17 |
15~75 |
2~8 |
| f0.80ワイヤー |
1.5 |
2 |
|
| 弾性率（E） |
20℃ |
320GPa |
320GPa |
320GPa |
| 1000℃ |
270GPa |
270GPa |
270GPa |
| 硬度（HV10） |
<70%の変形の版 |
200~280 |
|
240~340 |
| >70%の変形の版 |
260~360 |
|
300~450 |
| 再結晶させた版 |
140~160 |
170~190 |
<200 |
| プラスチック壊れやすい遷移温度（T） |
-40~40℃ |
| 最初の再結晶化の温度（T） |
>90%Deformationの版1hはアニールした |
900℃ |
1400℃ |
1250℃ |
| 最終的な再結晶化の温度（T） |
1によってアニールされる |
1200℃ |
1700℃ |
1600℃ |
5.半導体工業のためのモリブデンの放出させるターゲットの特徴:
放出させたコーティングは基質のよいより慣習的な沈殿技術に付着し、非常に高い溶ける温度の材料は、モリブデンおよびタングステンのような、放出させ非常にやすい。さらに蒸発が底から越えるためにしかすることができない一方放出させることは両方の方法することができる。
放出させるターゲットは利用できるまた正方形および三角の選択があるが、頻繁に円形にされるか、または長方形である。基質は塗られる必要がある太陽電池からの光学部品半導体ウエハーへへ何でもであるかもしれない項目であり。コーティングはオングストロームからミクロンまで厚さで典型的なレンジ。膜は層で積み重なる単一の複数の材料から成るかもしれない。
高い純度、高密度、良い、および一貫した穀物の特性は放出させるプロセス中の非常に高い放出させる効率、同質なフィルム厚さおよびきれいなエッチングの表面に終ってモリブデンの放出させるターゲットに、ある。
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