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テストされた質と両極競争価格の黒によって絶縁されるゲート
絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）は両極トランジスターの新型である。それは絶縁されたゲートの電界効果トランジスタおよびバイポーラ トランジスタの組合せで、力転換、運動制御および工作機械のようなさまざまな分野で広く利用されている。このIGBTは元のパッキングにあり、質を保障するためにテストされた。
IGBTはそれを多くの適用のために適したようにし、パワー エレクトロニクス、自動車、家電および他の企業で広く利用されている優秀な性能および信頼性の高度の半導体デバイスである。それはそれに高周波および高い発電の適用のための理想的な選択をするMOSFETそして両極トランジスターの利点を、高い切り替え速度および低いオン州の抵抗のような結合する。
絶縁されたゲートの両極トランジスターは信頼性が高く、低い電力の消滅があり、そして高温で作動できる。それに多くの適用のための理想的な選択をする、大きい性能および信頼性を提供するのは有効な装置である。
絶縁されたゲートの両極トランジスターはあなたの適用のための大きい選択である。それは優秀な性能の良質、信頼できる装置および信頼性である。それはいろいろな適用で使用することができ、大きい性能および信頼性を提供する。
絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）は高性能、速い切換えおよび改善された熱性能を要求する適用のための理想的な選択である。IGBTsのMMRのブランドは電圧および現在の評価の広い範囲と信頼でき、強い。彼らは高い供給電圧を扱い、優秀な信頼性の安定した性能を特色にするように設計されている。
IGBTsは医学、自動車の、および産業適用のようないろいろ異なった適用で、使用することができる。それらが強力なモーター、高圧負荷および他の強力な部品を制御するのに使用することができる。またそれらがインバーターを、モード電源制御するのにおよび他の転換の適用を転換するために使用されている。
IGBTsに高性能、速い切換えおよび改善された熱性能がなったますます普及した原因が近年ある。MMR IGBTsは良質の標準と、それらが信頼でき、強いことを保障する作り出され。MMR IGBTsはいろいろなサイズ、形および電圧で利用でき、広い応用範囲の使用のために設計されている。MMR IGBTsはまたそれらがすべての安全および性能要件を満たすことを保障するために完全にテストされる。
MMR IGBTsは高性能を、速い切換え要求する適用のための理想的な選択および改善された熱性能である。MMR IGBTsは良質の標準と、それらが信頼でき、強いことを保障する作り出され。それらはまたすべての安全および性能要件を満たすことを保障するために完全にテストされる。MMR IGBTsはいろいろなサイズ、形および電圧で利用でき、広い応用範囲の使用のために設計されている。
| 名前 | 絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT） |
|---|---|
| タイプ | 両極トランジスター |
| 適用 | 一般目的 |
| テスト | はい |
| データ用紙 | 提供されるデータ用紙 |
| 実用温度 | 正常な温度 |
| 質 | 高い |
| 特徴 | 馬小屋 |
| 供給電圧 | 正常な電圧 |
| 価格 | 競争 |
絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）技術はいろいろな適用のための信頼でき、有効で、そして費用効果が大きい解決である。私達は設計援助、適用工学、トラブルシューティングおよび製品教育を含むIGBTsに完全なテクニカル サポートおよびサービスを、提供する。
ベテランの専門家の私達のチームはあなたが持つかもしれない照会か技術的な質問と助けて利用できる。私達は私達の顧客への敏速で、正確な応答を提供することに努力している。私達のエンジニアはおよび技術者にIGBTの技術の完全な理解があり、方法の助言を提供して利用できる最もよくあなたの適用のそれを実行する。
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絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）は包装および船積み細心の注意を払ってされるべきである。パッケージはIGBTsを衝撃、振動および運輸の間に他の潜在的な損傷から保護するために強く、十分に耐久べきである。パッケージはまたIGBTsが極度な温度、湿気、または性能を妥協するかもしれない他の環境条件--にさらされないことを保障するように設計されているべきである。さらに、パッケージはIGBTsを送信中に運び、追跡することを容易にするように設計されているべきである。
IGBTsを出荷した場合、出荷されるパッケージはIGBTsのタイプそして量とはっきり分類されるべきである。パッケージはまた製造業者からの承諾のIGBTsの技術仕様そして証明書を含んでいるパッキング リストを含むべきである。これは顧客がIGBTsを受け取ることIGBTsが正しく識別されるそれら命令したことの保障を助け。
特別な条件のIGBTsのために特定の条件を満たすように、パッケージは設計され、テストされるべきである。例えば、帯電防止袋で出荷されるIGBTsの必要性がパッケージ適切な帯電防止袋を含めば。さらにIGBTsが運輸の間にあらゆる危険物--に傷つかないし、さらされないことを保障するように、パッケージは設計されているべきである。
A1:絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）は両極および電界効果トランジスタの利点を結合する中国からMMRによって、作り出されるタイプの力の半導体デバイスである。それに低い伝導の損失および高圧妨害の機能がある。
A2:IGBTsに従来の力トランジスター上の多くの利点がある。これらは速い切り替え速度、低いオン州の抵抗、広い作動の電圧範囲、低いゲート ドライブ力および高い入力インピーダンスを含んでいる。
A3:IGBTsは運動制御、力転換、制御、エネルギー蓄積 システムおよび自動車適用をつける電源のような適用のために広く利用されている。
A4:IGBTの電力定格は現在の評価、電圧評価および温度に普通依存している。MMRによって作り出される数千のアンペアおよび数百のボルトまで少数のアンペアからIGBTの現在の評価そして電圧評価はそれぞれ及ぶことができる。
A5:MMRからのIGBTsはすくい、TO-220、SOT、SMDおよびモジュールのパッケージを含むさまざまなパッケージのタイプで利用できる。