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24V 600Vのフラッシュ・メモリICの破片

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国/地域:china
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24V 600Vのフラッシュ・メモリICの破片

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型式番号 :IRGP4062DPBF
原産地 :ドイツ
最低順序量 :5
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :管の25PCS、箱の400PCS
包装の細部 :管の25PCS、箱の400PCS
製品カテゴリ :IGBTのトランジスター
RoHS :細部
技術 :Si
パッケージ/場合 :TO-247-3
様式の取付け :穴を通して
構成 :単一
最高コレクターのエミッターの電圧VCEO :600ボルト
Collector-Emitterの飽和電圧 :1.95 V
最高のゲートのエミッターの電圧 :20ボルト
25 Cの連続的なコレクター流れ :48 A
Pd -電力損失 :250 W
最低の実用温度 :- 55 C
シリーズ :整流器ダイオード モジュール
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24V 600Vのフラッシュ・メモリICの破片

IRGP4062DPBF IRGP4062D真新しい輸入された元のTO-247 24A/600V IGBT FET

製品特質 属性値
Infineon
IGBTのトランジスター
RoHS: 細部
Si
TO-247-3
穴を通して
単一
600ボルト
1.95 V
20ボルト
48 A
250 W
- 55 C
整流器ダイオード モジュール
ブランド: Infineon/IR
高さ: 20.7 mm
長さ: 15.87 mm
製品タイプ: IGBTのトランジスター
工場パックの量: 25
下位範疇: IGBTs
幅: 5.31 mm
部分#別名: IRGP4062DPBF SP001545058
単位重量: 1.340411 oz

会社の利点
1.適用範囲が広いOEMサービス:私達は顧客のサンプルか設計に従ってプロダクトを作り出してもいい。
2.さまざまな材料:材料はMPPO.PPE.ABS.PEI.IDP…等である場合もある。
3.複雑な技量:用具の作成の射出成形、生産
4.広範囲のカスタマー サービス:販売サービスの後のへの顧客の相談から。
5. 10年の米国およびEUの顧客のためのOEMの前のperience。
6。私達に私達の自身の工場があり、high-levelおよび農産物プロダクトの質をすぐにそして柔軟に制御してもいい。

24V 600Vのフラッシュ・メモリICの破片

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