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MUN5314DW1T1Gのフラッシュ・メモリICはSOT363両極トランジスターを欠く
MUN5314DW1T1G SOT363の両極トランジスター-前偏りのある100mA補足50V NPN及びPNP
| 製品特質 | 属性値 |
|---|---|
| onsemi | |
| 前偏りのある両極トランジスター- | |
| RoHS: | 細部 |
| 二重 | |
| NPN、PNP | |
| 10のkOhms | |
| 0.21 | |
| SMD/SMT | |
| SOT-363-6 | |
| 80 | |
| 50ボルト | |
| 0.1 A | |
| 100 mA | |
| 187 MW | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| MUN5314DW1 | |
| 巻き枠 | |
| テープを切りなさい | |
| MouseReel | |
| ブランド: | onsemi |
| 最高DCの現在の利益hFE: | 10ボルトの5 mAの80 |
| 高さ: | 0.9 mm |
| 長さ: | 2つのmm |
| チャネルの数: | 2チャネル |
| 製品タイプ: | 前偏りのあるBJTs -両極トランジスター- |
| 工場パックの量: | 3000 |
| 下位範疇: | トランジスター |
| 幅: | 1.25 mm |
| 単位重量: | 0.000219 oz |
注:
1。IC、ダイオードおよび三極管のモデルのために、引用語句のフォーマットは次のとおりである:完全なモデル+パッケージ+量。
2.私達がもっとすぐにそして便利に引用してもいいように、コンデンサーおよび抵抗器は容積（サイズ）およびパッケージの知らせられる必要があったり完全なモデルおよび指定を提供する。
3.顧客は必要なとき引用するためにExcelまたは単語文書を送る必要がありまた私達の参照のために映像を付ける必要がある。
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