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MUN5312DW1T1Gの集積回路ICの破片

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QIN XIN (香港)の電子技術CO.は、限った
国/地域:china
連絡窓口:sales
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MUN5312DW1T1Gの集積回路ICの破片

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型式番号 :MUN5312DW1T1G
原産地 :オン
最低順序量 :1
支払の言葉 :T/T
供給の能力 :3000
包装の細部 :カートン
製造業者 :onsemi
製品カテゴリ :前偏りのある両極トランジスター-
構成 :二重
トランジスター極性 :NPN、PNP
典型的な入れられた抵抗器 :22のkOhms
典型的な抵抗器の比率 :1
様式の取付け :SMD/SMT
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MUN5312DW1T1Gの集積回路ICの破片

onsemi
前偏りのある両極トランジスター-
RoHS: 細部
二重
NPN、PNP
22のkOhms
1
SMD/SMT
SC-88-6
60
50ボルト
0.1 A
100 mA
187 MW
- 55 C
+ 150 C
MUN5312DW1
巻き枠
テープを切りなさい
MouseReel
ブランド: onsemi
最高DCの現在の利益hFE: 10ボルトの5 mAの60
高さ: 0.9 mm
長さ: 2つのmm
チャネルの数: 2チャネル
製品タイプ: 前偏りのあるBJTs -両極トランジスター-
3000
下位範疇: トランジスター
幅: 1.25 mm
単位重量: 0.000219 oz
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