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部分の状態 | 活動的 |
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FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 100V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 39A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 4.5V、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 2V @ 1mA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 48nC @ 5V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 3072pF @ 25V |
Vgs (最高) | ±15V |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 158W (Tc) |
(最高) @ ID、VgsのRds | 39 mOhm @ 25A、10V |
実用温度 | -55°C | 175°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | D2PAK |
パッケージ/場合 | TO-263-3のDの²朴(2つの鉛+タブ)、TO-263AB |
郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
条件 | 新しい元の工場。 |