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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

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BLL6G1214L-250,112電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
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China BLL6G1214L-250,112電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片 wholesale
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BLL6G1214L-250,112電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片
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部品番号 :BLL6G1214L-250,112
製造業者 :Ampleon USA Inc。
記述 :RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A
部門 :トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
家族 :トランジスター- FETs、MOSFETs - RF
原産地 :原物
最低順序量 :交渉可能
受渡し時間 :交渉可能
支払の言葉 :T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :100000
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BLL6G1214L-250,112指定

部分の状態 時代遅れ
トランジスター タイプ LDMOS
頻度 1.2GHz | 1.4GHz
利益 15dB
電圧-テスト 36V
現在の評価 -
雑音指数 -
現在-テスト 150mA
パワー出力 250W
評価される電圧- 89V
パッケージ/場合 SOT-502A
製造者装置パッケージ LDMOST
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

BLL6G1214L-250,112包装

検出

BLL6G1214L-250,112電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片BLL6G1214L-250,112電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片BLL6G1214L-250,112電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片BLL6G1214L-250,112電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETs RFの破片

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mosfet para rf

mosfet rf
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