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部分の状態 | 活動的 |
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FETのタイプ | 2 N-Channel (半分橋) |
FETの特徴 | 炭化ケイ素(SiC) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 444A (Tc) |
(最高) @ ID、VgsのRds | 4.3 mOhm @ 400A、20V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 105mA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | - |
パワー最高 | 3000W |
実用温度 | 175°C (TJ) |
タイプの取付け | - |
パッケージ/場合 | モジュール |
製造者装置パッケージ | モジュール |
郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
条件 | 新しい元の工場。 |