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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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RJM0603JSC-00#12電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列

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China RJM0603JSC-00#12電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列 wholesale
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RJM0603JSC-00#12電界効果トランジスタのトランジスターFETsのMOSFETsの配列
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部品番号 :RJM0603JSC-00#12
製造業者 :Renesasの電子工学アメリカ
記述 :MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
部門 :トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
家族 :トランジスター- FETs、MOSFETs -配列
シリーズ :、AEC-Q101自動車
原産地 :原物
最低順序量 :交渉可能
受渡し時間 :交渉可能
支払の言葉 :T/T、L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :100000
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RJM0603JSC-00#12指定

部分の状態 活動的
FETのタイプ 3 Nおよび3 P-Channel （3-Phase橋）
FETの特徴 論理のレベルのゲート、4.5Vドライブ
流出させなさいに源の電圧（Vdss） 60V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 20A
（最高） @ ID、VgsのRds 20 mOhm @ 10A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID 2.5V @ 1mA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs 43nC @ 10V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds 2600pF @ 10V
パワー最高 54W
実用温度 175°C
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 20-SOIC （0.433"、11.00mmの幅）露出されたパッド
製造者装置パッケージ 20-HSOP
郵送物 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。
条件 新しい元の工場。

RJM0603JSC-00#12包装

検出

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商品のタグ：

npn transistor array

darlington transistor array

junction field effect transistor
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