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部分の状態 | 活動的 |
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FETのタイプ | NおよびP-Channel |
FETの特徴 | 論理のレベルのゲート |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 30V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 7A、5A |
(最高) @ ID、VgsのRds | 28 mOhm @ 7A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 3V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 575pF @ 15V |
パワー最高 | 900mW |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅) |
製造者装置パッケージ | 8-SO |
郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
条件 | 新しい元の工場。 |