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SPP04N60C3HKSA1

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China SPP04N60C3HKSA1 wholesale

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SPP04N60C3HKSA1

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET

FETの特徴 :-

Vgs(th) (最大) @ Id :3.9V @ 200μA

動作温度 :-55°C ~ 150°C (TJ)

パッケージ/ケース :TO-220-3

ゲートチャージ (Qg) (最大) @ Vgs :25 NC @ 10ボルト

Rdsオン (最大) @ Id, Vgs :950mOhm @ 2.8A, 10V

FETタイプ :Nチャンネル

駆動電圧 (最大Rdsオン,最小Rdsオン) :10V

パッケージ :トューブ

流出電圧から源電圧 (Vdss) :650ボルト

Vgs (最大) :±20V

製品の状況 :時代遅れ

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds :490 pF @ 25 V

マウントタイプ :穴を抜ける

シリーズ :CoolMOS™

供給者のデバイスパッケージ :PG-TO220-3-1

Mfr :インフィニオン・テクノロジーズ

電流 - 連続流出 (Id) @ 25°C :4.5A (Tc)

電力損失（最高） :50W （Tc）

テクノロジー :MOSFET （金属酸化物）

基本製品番号 :SPP04N

記述 :MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-3

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Nチャネル 650 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) 穴を通る PG-TO220-3-1

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