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Sensor (HK) Limited

シティ：shenzhen

国/地域：china

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MMBTRC104SS

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カテゴリー :離散半導体製品トランジスタ双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ

電流 - コレクター (Ic) (最大) :100MA

製品の状況 :アクティブ

トランジスタタイプ :前偏りのあるNPN -

頻度 - 移行 :200 MHz

マウントタイプ :表面マウント

パッケージ :ストライプ

シリーズ :-

Vce 飽和度 (最大) @ Ib, Ic :-

電圧 - コレクターエミッター分解 (最大) :50V

供給者のデバイスパッケージ :SOT-23-3 (TO-236)

抵抗 - ベース (R1) :47のkOhms

Mfr :ダイオテック半導体

レジスタ - エミッターベース (R2) :47のkOhms

電流 - コレクターの切断値 (最大) :500nA

パワー - マックス :200mW

パッケージ/ケース :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

DC電流増幅 (hFE) (分) @ Ic, Vce :80 @ 10mA 5V

基本製品番号 :MMBTRC104

記述 :デジタル TR SOT-23 50V 100MA

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バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面マウント SOT-23-3 (TO-236)

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