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Sensor (HK) Limited

急速に発展する半導体業界では シェンゼン・チャオシェン・エレクトロニクスは チップ販売の リーダーとして 顧客に最高品質のチップ製品を 提供することに専念しています最も専門的な技術サポート製品開発,生産,アップグレードのプロセスにおいて, 適切なチップを選択することが決定的であることを完全に理解しています.私たちは徹底的に包括的なサービスシステムを確立しました信頼できるパートナーになることを目指し

Manufacturer from China
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H5AN8G6NDJR-XNC

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H5AN8G6NDJR-XNC
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記述 :H5AN8G6NDJR-XNCは,SK hynixによって製造されたDDR4ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM) チップである.
ストック :10000から500000個
最低注文量 :1000PCS
支払条件 :T/T
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
容量 :8Gb (すなわち1GB) で,その512Mx16アーキテクチャによって達成された.
タイプ :DDR4 SDRAM
稼働電圧 :1.2V
パッケージ :細角球格子配列 (FBGA)
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製品の説明を表示

H5AN8G6NDJR-XNCは,SK hynixが製造するDDR4ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM) チップである.このチップの主なパラメータは以下の通りである.

貯蔵容量:

  • 容量: 8Gb (すなわち1GB) 512Mx16アーキテクチャによって達成.

技術仕様:

  • タイプ:DDR4 SDRAM
  • 速度: ソースによって,速度は異なるが,一般的に高速データ転送をサポートする.一部の情報によると,速度は3200Mbpsまで達することができる.しかし,特定の速度が製品セットやアプリケーション環境によって異なる場合があることに注意してください..
  • 動作電圧: 1.2V

パッケージ形式:

  • パッケージ:フィーンピッチボールグリッド配列 (FBGA),特に96ボールの FBGA パッケージ.

温度範囲:

  • 動作温度: ソースによって,温度範囲はわずかに変動する可能性があります.いくつかの情報によると,動作温度範囲は0°Cから85°Cです.0°Cから +95°Cまでこれは,環境温度の広い範囲で安定して動作することを示しています.

環境特性:

  • RoHS (危険物質の制限) 規格に準拠し,生産中に有害物質の使用を削減し,環境要件を満たしていることを示しています.

他のパラメータ:

  • パート番号: 市場利用可能性に応じて,パットの番号は異なる可能性があります.一部の情報によると,そのパットの番号は23+です.
  • メーカー:SK hynix

上記のパラメータは,製品・セット,市場利用可能性,または特定のアプリケーション環境により変更される可能性があります.最も正確で最新のパラメータ情報を得るため,SK hynix に直接または関連するサプライヤーに相談することをお勧めします..

さらに,DDR4 DRAMチップの性能は,タイムリングパラメータ (例えばCAS レイテンシー,RAS-to-CAS レイテンシー),消費電力の特性 (例えば,動作力これらの要因は,チップのデータシートまたは技術仕様で詳細に説明されています.H5AN8G6NDJR-XNC

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