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Sensor (HK) Limited

急速に発展する半導体業界では シェンゼン・チャオシェン・エレクトロニクスは チップ販売の リーダーとして 顧客に最高品質のチップ製品を 提供することに専念しています最も専門的な技術サポート製品開発,生産,アップグレードのプロセスにおいて, 適切なチップを選択することが決定的であることを完全に理解しています.私たちは徹底的に包括的なサービスシステムを確立しました信頼できるパートナーになることを目指し

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MMRF1314HR5

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MMRF1314HR5
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記述 :MMRF1314HR5: これはLDMOS技術を使用したRF電源トランジスタで,SOT1787でパッケージ化されており,
ストック :5200〜2000
最低注文量 :1000PCS
支払条件 :T/T
輸送方法 :LCL,AIR,FCL,エクスプレス
パッケージ :SOT1787
動作頻度 :1200〜1400 MHz
出力電力 :1000W (ピーク)
ゲート源の電圧（VGS） :-6Vから+10V
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MMRF1314HR5は,NXPが製造するRF電源トランジスタで,特に高電力RFアプリケーションのために設計されています.この製品の詳細な仕様は以下のとおりです:

基本パラメータ

  • 製品タイプ: RF MOSFET トランジスタ (電波周波数金属酸化半導体フィールド効果トランジスタ)
  • 製造者NXP
  • 極性Nチャンネル
  • パッケージ: SOT1787
  • テクノロジー: LDMOS (横向的に拡散した金属酸化半導体)

電気パラメータ

  • 動作頻度: 1200から1400MHz
  • 出力: 1000W (ピーク)
  • 典型的な増幅 (dB): 15.5 dB @ 1200 MHz (特異的増幅は周波数によって異なります)
  • 排水源の断熱電圧 (Vds): 直接指定されていませんが,LDMOSトランジスタは一般的に高断熱電圧を持っています.
  • 連続流出電流 (Id): 直接指定されていませんが,アプリケーションと設計要件によって決定されています.
  • ゲート・ソースの電圧 (Vgs): -6Vから+10V (ゲート電圧の制御範囲)
  • 電力分散 (Pd): 直接指定されていませんが,高出力アプリケーションのための良好な散熱設計が必要です.

動作温度

  • 最大動作温度: +150°C
  • 最低動作温度-40°C

応用特性

  • ブロードバンド運用: 便利なブロードバンド運用と利用のための内部入力と出力マッチング
  • 構成の柔軟性: 単端,プッシュ・プル,または四角形配置で使用できます
  • 高強度: パルス用用途に適しており,特に高性能軍用および商業用L帯レーダー用途に優れている

追加情報

  • パッケージ/ケース:SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology) パッケージ,表面マウント技術に適している
  • 梱包量: 通常,特定の量 (例えば,50個) で1台に梱包されます.MMRF1314HR5
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