シリコンエピタキシャル成長装置用、SiCコーティング表面付き、垂直円盤型一体型グラファイトペデスタル
単結晶炭化ケイ素製造用超高純度グラファイトるつぼ
特殊半導体プロセス用アクセサリー：
- イオン注入用グラファイト電極、バックブロック、シールドカバー
- プラズマエッチング用グラファイト電極
- 半導体パッケージング用モールド、高グレードテンプレート、治具
高温プロセス部品：
- 誘導加熱用グラファイトるつぼ、ボート、アクセサリー
- 酸化ゲルマニウムおよびゾーンメルティング半導体材料プロセス
- 高純度金属溶解用途
- チョクラルスキー法用グラファイトヒーターおよび断熱カバー
HEM法サファイア製造用高純度グラファイトヒーターおよび電極

技術仕様

グレード	バルク密度 (g/cm³)	電気抵抗率 (μΩ⋅m)	圧縮強度 (MPa)	曲げ強度 (MPa)	ショア硬度	灰分 (ppm)	熱膨張率 (*10⁻⁶/°C)	熱伝導率 W/(m⋅K)	ヤング率 (GPa)	用途
CDI-S1	1.8	12.5	90	45	58	5	4.5	105	10	半導体
CDI-S20	1.8	10	75	43	50	5	4.3	140	9	半導体
CDI-S3	1.78	11	85	40	45	5	3.8	120	10	半導体

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産業 半導体 グラフィット ブラック グラフィット コンポーネント 固体ブロック

EDMグラファイト電極