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99.95%タングステンの注文の処理の半導体のイオン・インプランテーションの付属品
タングステンのイオン・インプランテーションの部品は物質的な表面処理のためのハイテクノロジーの新しい世代である。
イオン・インプランテーションは要素のイオンがそれによりターゲットの身体検査の、化学または電気特性を変える固体ターゲットに、加速される低温プロセスである。イオン・インプランテーションは半導体デバイスの製造、金属の表面処理および物質科学の研究で使用される。
イオンimplanterは集積回路の作成の主装置である。半導体の表面に撃たれ、沈殿するイオンビームがキャリア集中および伝導のタイプ変わる時。優秀な表面の修正に所有して、イオン・インプランテーションは半行なう材料、金属、製陶術、高分子ポリマー、等のイオン・インプランテーションで広くである大きい集積回路（IC）の作成で必要適用される。モリブデンの部品はイオンimplanterのためのイオン化光線。.molybdenumのイオン・インプランテーションの部品を抑制し、保護する半導体イオンimplanterのイオン源システムの主要部分である。
指定および化学成分
| 材料 | タイプ | 化学成分（重さによって） |
| 純粋なタングステン | W1 | >99.95%min.Mo |
| タングステンの銅合金 | WCu | 10%~50%のCU/50%~90% W |
| Tungtenの重い合金 | WNiFe | 1.5% - 10% NI、Fe、Moの |
| Tungtenの重い合金 | WNiCu | 5% - 9.8% NIのCU |
| タングステン レニウム | WRe | 再5,0% |
| Molyのタングステン | MoW50 | 0,0% W |
タングステンのイオン・インプランテーションの部品の利点
（1）イオン・インプランテーションの層にマトリックス材料が付いている明らかなインターフェイスがない、そう表面で付着のひびまたは皮をむくことがないし、マトリックスとしっかりと結ばれる。
（2）イオン・インプランテーションは注入の線量、注入エネルギーおよびビーム密度の制御によって正確に植え付けられたイオンの集中および深さの配分を制御できる。
（3）イオン・インプランテーションは室温および真空で一般に遂行される。機械で造られた工作物の表面は酸化が見えなく、ない。それは元の次元の正確さおよび表面の粗さを維持できる。それは高精度の部品の最終的なプロセスのために特に適している。
表面のひびを減らすために（4）圧縮圧力は工作物の表面層で形作ることができる。
（5）きれいな高真空および無毒なプロセスおよび材料は採用される、処置の温度は低く、扱われるべき材料の全面的な性能は影響されない。
適用:半導体のためのタングステン イオンimplanterの予備品
1。イオン・インプランテーションのためのほとんどのタングステンの部品は半導体工業で使用される;
高密度のイオン・インプランテーションのための2.We農産物のtungstemの部品、純度および正確さおよび同種の内部構造;
3。イオン・インプランテーションのための私達のタングステンの部品は適当なビーム現在のimplanterおよび強いビーム現在のimplanterのために適している;
4.イオン・インプランテーションのためのタングステンの部品は顧客のデッサンに従ってなされる。
