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モリブデンの半導体のイオン・インプランテーションの構造モリブデン イオン部品
モリブデンは、タングステンのような、処理し難くまれな金属である。モリブデンの融点は2620 ℃である。原子間の強い拘束力が原因で、モリブデンの強さは室温および高温で非常に高い。それに小さい拡張係数、高い伝導性およびよい熱伝導性がある。
イオン・インプランテーションは要素のイオンがそれによりターゲットの身体検査の、化学または電気特性を変える固体ターゲットに、加速される低温プロセスである。イオン・インプランテーションは半導体デバイスの製造、金属の表面処理および物質科学の研究で使用される。
イオンimplanterは集積回路の作成の主装置である。半導体の表面に撃たれ、沈殿するイオンビームがキャリア集中および伝導のタイプ変わる時。優秀な表面の修正に所有して、イオン・インプランテーションは半行なう材料、金属、製陶術、高分子ポリマー、等のイオン・インプランテーションで広くである大きい集積回路（IC）の作成で必要適用される。モリブデンの部品はイオンimplanterのためのイオン化光線。.molybdenumのイオン・インプランテーションの部品を抑制し、保護する半導体イオンimplanterのイオン源システムの主要部分である
適用:半導体のためのモリブデン イオンimplanterの予備品
1。イオン・インプランテーションのためのほとんどのモリブデンの部品は半導体工業で使用される;
高密度のイオン・インプランテーションのための2.We農産物のモリブデンの部品、純度および正確さおよび同種の内部構造;
3。イオン・インプランテーションのための私達のモリブデンの部品は適当なビーム現在のimplanterおよび強いビーム現在のimplanterのために適している;
4.イオン・インプランテーションのためのモリブデンの部品は顧客のデッサンに従ってなされる。
