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S8550 SOT-89 0.5A SMDのトランジスターPNPケイ素のエピタキシアル平面トランジスター
S8550 SOT-89 0.5A PNPのケイ素のエピタキシアル平面トランジスター S8550 SOT-89 0.5A SMDのトランジスターPNPケイ素のエピタキシアル平面トランジスター S8550 SOT-89 Datasheet.pdf 特徴...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
確認済みサプライヤー
Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
表面の台紙SMDのトランジスターBC847B SOT-23 NPNタイプ トランジスター
BC847B SOT-23 NPNの表面の台紙のトランジスター 表面の台紙SMDのトランジスターBC847B SOT-23 NPNタイプ トランジスター BC846-BC848 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 理想的には自動...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
確認済みサプライヤー
Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
Nは転換されたモード電源のためのMosfetの電界効果トランジスタ10N60 600Vを運びます
転換されたモード電源のための10N60 600V nチャネルmosfetの電界効果トランジスタ データ用紙:CY10N60F.pdf 電界効果トランジスタの特徴: 下水管の流れは9.5A、600V、RDS （） =0.73Ω @VGS =10 Vです 低いゲート充満MO...
Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
部屋4005の床第40のSaigeスクエア、Huaqiangの北の道NO.1002、福田区、シンセン、広東省、中国
電池の保護のためのプラスチックMosfet力トランジスターNチャネルAP60N03DF
AP60N03DF Nチャネルは力MOSFET力の電界効果トランジスタを進めました AP60N03DF.pdf 記述 AP60N03DFは優秀なR DS （）、4.5V低いゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するのに高度の堀の技術を使用します。この装置は電池の保護として...
Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
部屋4005の床第40のSaigeスクエア、Huaqiangの北の道NO.1002、福田区、シンセン、広東省、中国
IPD075N03LG トランジスタ Nチャネル モスフェット TO-252
ISO9001.pdf IPD075N03LGは,NチャネルMOSFETトランジスタである.このトランジスタの用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:電源スイッチとDC-DC変換器自動車運転手自動車用電子機器産業自動化制御システム結論は効率的なNチャネルMOSFETトランジスタ低導電抵抗と...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
、第3078 huiduhuixuanの2515世紀Shennanの中間の道、Huaqiangbeiの通り、福田区、シンセン、中国
MOSFET分野効果の高圧トランジスターAP50P03NF Pチャネルの高度力
AP50P03NF Pチャネルは力MOSFET分野効果の高圧トランジスターを進めました AP50P03NF.pdf 記述 AP50P03NFは優秀なR DS （）、4.5V低いゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するのに高度の堀の技術を使用します。この装置はalo...
Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
部屋4005の床第40のSaigeスクエア、Huaqiangの北の道NO.1002、福田区、シンセン、広東省、中国
IPD082N10N3 TO-252 Ic 統合回路 Nチャネル モスフェットトランジスタ
ISO9001.pdf IPD082N10N3はNチャネルMOSFETトランジスタである.その用途,結論,パラメータは以下のとおりである.適用:高電圧と高電力の負荷スイッチとして使用変換器と調節器のスイッチとして使用される結論は高電圧対応:Vds=100V低導電抵抗:Rds (オン) =8.2m...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
、第3078 huiduhuixuanの2515世紀Shennanの中間の道、Huaqiangbeiの通り、福田区、シンセン、中国
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