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負荷スイッチ力管理のための50P03NF TO-252 Mosfet力トランジスター

China 負荷スイッチ力管理のための50P03NF TO-252 Mosfet力トランジスター on sale
負荷スイッチ力管理のための50P03NF TO-252 Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスター記述 50P03NFは提供するのに高度の堀の技術を使用します優秀なR DS ()、ゲートとの低いゲート充満および操作4.5V低い電圧。この装置は適していますのためにalo...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省

高い切り替え速度の太陽インバーター6A 20V Mosfet力トランジスター

China 高い切り替え速度の太陽インバーター6A 20V Mosfet力トランジスター on sale
高い切り替え速度の太陽インバーター6A 20V Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスター記述: AP8205Sの使用高度の堀の技術優秀なRDSを提供するため()、低いゲート充満そして2.5V低いゲートの電圧の操作。この装置は電池として使用のために適しています他の切換...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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強化モードNチャネルのトランジスター/論理Mosfetスイッチ表面の台紙のパッケージ

China 強化モードNチャネルのトランジスター/論理Mosfetスイッチ表面の台紙のパッケージ on sale
強化モードNチャネルのトランジスター/論理Mosfetスイッチ表面の台紙のパッケージ Nチャネルのトランジスター記述 18N20X使用高度の平らな技術優秀なRds ()、2.5V低いゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するため。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの適用で使用のために適...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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転換の電源のための10A 100V Mosfet力トランジスターAP10N10DY

China 転換の電源のための10A 100V Mosfet力トランジスターAP10N10DY on sale
転換の電源のための10A 100V Mosfet力トランジスターAP10N10DY Mosfet力トランジスター記述: AP10N10D/Yの使用高度の堀の技術低いゲート充満を優秀なRDSに()与えるように設計して下さい。それはいろいろ適用で使用することができます。 Mosf...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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負荷スイッチ力管理のための50P03NF TO-252 Mosfet力トランジスター

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負荷スイッチ力管理のための50P03NF TO-252 Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスター記述 50P03NFは提供するのに高度の堀の技術を使用します優秀なR DS ()、ゲートとの低いゲート充満および操作4.5V低い電圧。この装置は適していますのためにalo...
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高い切り替え速度の太陽インバーター6A 20V Mosfet力トランジスター

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高い切り替え速度の太陽インバーター6A 20V Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスター記述: AP8205Sの使用高度の堀の技術優秀なRDSを提供するため()、低いゲート充満そして2.5V低いゲートの電圧の操作。この装置は電池として使用のために適しています他の切換...
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BD681 NPN Darlington 力トランジスター中型力の切換え

China BD681 NPN Darlington 力トランジスター中型力の切換え on sale
BD681 NPN Darlington 力トランジスター中型力の切換え ■ SGS-THOMSON によって好まれる SALESTYPES ■補足 PNP - NPN 装置 ■単一 DARLINGTON の構成 ■の統合された ANT...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国

強化モードNチャネルのトランジスター/論理Mosfetスイッチ表面の台紙のパッケージ

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強化モードNチャネルのトランジスター/論理Mosfetスイッチ表面の台紙のパッケージ Nチャネルのトランジスター記述 18N20X使用高度の平らな技術優秀なRds ()、2.5V低いゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するため。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの適用で使用のために適...
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転換の電源のための10A 100V Mosfet力トランジスターAP10N10DY

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転換の電源のための10A 100V Mosfet力トランジスターAP10N10DY Mosfet力トランジスター記述: AP10N10D/Yの使用高度の堀の技術低いゲート充満を優秀なRDSに()与えるように設計して下さい。それはいろいろ適用で使用することができます。 Mosf...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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2N2222A力MosfetのトランジスターNPNスイッチング・トランジスタの高速スイッチ

China 2N2222A力MosfetのトランジスターNPNスイッチング・トランジスタの高速スイッチ on sale
NPNのスイッチング・トランジスタ2N2222;2N2222A 特徴 •高く流れ(最高。800 mA) •低電圧(最高。40 V)。 適用 •線形拡大および切換え。 記述 TO-18金属のパッケージのNPNのスイッチング・トランジスタ。PNPの補足物:2N290...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
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