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NPNの両極トランジスターIC破片100V 65W 6A TIP41Cの単一のトランジスター
単一のトランジスター両極NPN 100V 65W 6A両極トランジスターTIP41C プロダクト 記述: 、NPN両極、1.TIP41C単一のトランジスター100ボルト、65 W、6 Aの75 hFE2. TIP41CのNPNのトランジスター、6 A、Vce=100 V、HFE:15のパッケージ...
限られるシンセンResの電子工学
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B615のNiulanqianの建物、Minzhiの道、竜華区、シンセン都市、広東省、中国
ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C npn型トランジスタ TIP31C TO-220-3
ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C NPNタイプトランジスタ TIP31C トランジスタTO-220-3 3AMPER パワートランジスタ 補完シリコン 40−60−80−100VOLTS, 40WATTS 特徴 • 高電流増幅 − 帯域幅製品...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
TIP120ダイオードの三極管のトランジスターNチャネルのトランジスター150V 104A TO220AB
TIP120 Npn 高周波トリオードトランジスタ MOSFET Nチャネルトランジスタ 150V 104A TO220AB TIP120 製品パラメータ 製造者: スタンダード パッケージ: トューブ 製品カテゴリー: MOSFET ブランド: 標準...
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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部屋2808-2809、Duhuixuan、第3018のShennanの道、Huahangのコミュニティ、Huaqiangの北の通り、福田区、シンセン
2SC5200 BJT NPNのトランジスター230V 15A 150W Mosfetの両極トランジスター
2SC5200 BJT NPNのトランジスター230V 15A 150W Mosfetの両極トランジスター 電力増幅器の塗布 •高い絶縁破壊電圧:VCEO = 230ボルト（分） •2SA1943に補足 •100-Wハイ ファイのオーディオ・アン...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
MJE3055T TO-220の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター
MJE3055T TO-220の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター 記述 10アンペア補足のケイ素力トランジスター− 60ボルトの75ワット 能力をの扱う力に2つの限定があるトランジスター:平均接合部温度および第2故障。安全運転区域のカーブはICの− VCEを...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ 高功率RFトランジスタ
BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ RFトランジスタ 製造者: ダイオード 製品カテゴリー: Pチャネル強化 RoHS について 詳細 マウントスタイル: - パッケージ/ケース: 16NSOP パッケージ: スタンダード 単位重量: - オ...
Wisdtech Technology Co.,Limited
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部屋1205-1207 ナンガングビル フアフ・ロード 福建区 シェンゼン 広東 中国
2SC4468トランジスターIC破片3 Pin 600V 55Aの両極トランジスター
元の2SC4468 2北極のトランジスターTO-3-3 製品の説明: 1. TO-3P NPN 140V 10A 2. 2SC4468両極トランジスター 3. 穴を通した両極（BJT）トランジスターNPN 140v 10a 20 MHz 100Wに3p 4. TRANS GP BJT NP...
限られるシンセンResの電子工学
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B615のNiulanqianの建物、Minzhiの道、竜華区、シンセン都市、広東省、中国
STGW80H65DFBはゲートの両極トランジスターIGBTトランジスター650V 80A 469Wを絶縁した
STGW80H65DFBはゲートの両極トランジスター650V 80A 469W IGBTトランジスターを絶縁した 適用 •光起電インバーター •高周波コンバーター 指定 製品特質 属性値 製造業者: STMicroelectronics...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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FDA59N30 NPN PNPのトランジスター59A 300V Nチャネル56のMOhmsの高い発電のトランジスター
FDA59N30 Pnp力トランジスター59A 300V N-Channel 56のMOhmsの高い発電のトランジスター 記述...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
信頼できる力の解決を行うAD9364BBCZ RF力トランジスター200W最高
AD9364BBCZ RF力トランジスター高い実行信頼できる力の解決 製品名:AD9364BBCZ RF力トランジスター 記述:AD9364BBCZ RF力トランジスターは商業の、産業および自動車適用の使用のために設計されている強力なクラスABのトランジスターである。この装置は高利得...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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