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フラッシュ・メモリの破片MT29F2G08ABAGAWP-IT:G - ITの8GB否定論履積のフラッシュ・メモリ:Gの技術
MT29F2G08ABAGAWP-IT:Gのフラッシュ・メモリの破片 製品仕様書: - 記憶容量:2 GB - フラッシュ・メモリのタイプ:否定論履積 - バス幅:x8 - 構成:x8/x16 - アクセス時間:8ns - 電圧:2.7-3.6V - パッケージ/場合...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
MT25QU512ABB8ESF-0AATのフラッシュ・メモリICの破片512MbのクォードSPIの抜け目がないSOIC-8パッケージ
プロダクト リスト: MT25QU512ABB8ESF-0AATのフラッシュ・メモリの破片 プロダクト変数: 記憶タイプ:抜け目がない記憶容量:512Mbitバス幅:8ビット電圧-供給:1.65 V | 1.95ボルト実用温度:-40°C | 85°Cパッケージ/場合:8-V...
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MX25V4006EZNI-13Gのフラッシュ・メモリは高性能4Mbフラッシュ・メモリの破片を欠く
MX25V4006EZNI-13Gのフラッシュ・メモリは高性能4Mbフラッシュ・メモリの破片を欠く MX25V4006EZNI-13Gのフラッシュ・メモリの破片 製品の説明: Macronixからのこのフラッシュ・メモリの破片は1.7Vから...
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フラッシュ・メモリはMX25R6435FM2JL0 - 8GB 3V SPIフラッシュ・メモリ--を欠く
MX25R6435FM2JL0フラッシュ・メモリの破片 Macronixからのこのフラッシュ・メモリの破片は8Mb均一セクターの抜け目がない建築の64Mb連続フラッシュ・メモリで、高性能および低い電力の適用のために設計されている。 主要特点: * 64Mb連...
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S25FL256SAGNFI001フラッシュ・メモリは8-WDFNパッケージ共通の抜け目がないインターフェイス（CFI）データを欠く
S25FL256SAGNFI001フラッシュ・メモリは8-WDFNパッケージ共通の抜け目がないインターフェイス（CFI）データを欠く 記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ 技術 フラッシュ- 記憶容量 256Mbit 記憶構成 32M x 8 記憶インターフェイス SPI -クォード入力/出力 クロック周波数 133のMHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい - 電圧-供給 2.7V | 3.6V 実用温度 -40°C | 85°C （TA） タイプの取付け 表面の台紙 パッケージ/場合 8-WDFNはパッドを露出した 製造者装置パッケージ 8-WSON （6x8） 基礎プロダクト数 S25FL256 特徴 •多目的な入力/出力とのCMOS 3.0 Vの中心 •複数の入力/出力とのSPI - SPIの時計極性および段階モード0および3 - DDRの選択 - 延長演説......
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S29GL512S11TFI020フラッシュ・メモリは56-TFSOPパッケージ128のMb 256のMb MIRRORBIT™抜け目がない平行3.0Vを欠く
S29GL512S11TFI020フラッシュ・メモリの破片 56-TFSOPパッケージ128のMb 256のMb MIRRORBIT™抜け目がない平行3.0V 記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ 技術 フラッシュ- 記憶容量 512Mbit 記憶構成 32M x 16 記憶インターフェイス 平行 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 60ns アクセス時間 110 ns 電圧-供給 2.7V | 3.6V 実用温度 -40°C | 85°C （TA） タイプの取付け 表面の台紙 パッケージ/場合 56-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅） 製造者装置パッケージ 56-TSOP 概説 S29GL01G/512/256/128Sは65 nm加工技術で製造されるMIRRORBIT™食の抜け目がないプロダクトである。 これらの装置は90 nsとして速くとして対応するラ......
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S29GL256P90TFIR10フラッシュ・メモリは56-TFSOPパッケージ1のGbit 128Mbit 3Vのページ抜け目がない90nm MirrorBitの加工技術を欠く
S29GL256P90TFIR10フラッシュ・メモリの破片 56-TFSOPパッケージ1のGbit 128Mbit 3Vのページ抜け目がない90nm MirrorBitの加工技術 記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ 技術 フラッシュ- 記憶容量 256Mbit 記憶構成 32M x 8 記憶インターフェイス 平行 周期にタイムの単語、ページを書きなさい 90ns アクセス時間 90 ns 電圧-供給 2.7V | 3.6V 実用温度 -40°C | 85°C （TA） タイプの取付け 表面の台紙 パッケージ/場合 56-TFSOP （0.724"、18.40mmの幅） 製造者装置パッケージ 56-TSOP 概説はCypress S29GL01G/512/256/128P抜け目がないプロダクトが90 nmの加工技術で製造したMirrorbit®である。これらの装置は90 ns......
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DevSleep K7N8 2280 Ngff SSD M2 SATA 512gb 3D否定論履積のフラッシュ・メモリ
Faspeed K7N8 512GB M.2 SATA SSD 2280 Ngffのデスクトップのラップトップのための内部高性能ソリッド ステート ドライブ あなたのUltrabookのために完成しなさい 速い、ローディングおよびファイル転送始めなさい ハード・ドライブより信頼でき、...
HONG KONG HUATOOP TECHNOLOGY LIMITED
Room 603, Nanyuan commercial building, Longhua District, Shenzhen,China
MTFC64GAPALBH-AITのフラッシュ・メモリIC EMMC
メモリ統合回路 MTFC64GAPALBH-AIT eMMC 製品説明: マイクロンNANDフラッシュメモリは非常に密度が高く,大量ストレージアプリケーションに信頼性の高いパフォーマンスと耐久性を提供します.この先進技術は,ユニークな機能を持つ様々なMLCとSLC NANDポートフォリオで使用されて...
Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.
部屋406-408のShenfang Cの建物、Huaqiangbeiの通り、福田区、シンセン、中国
AT25DF641-S3H-Tのフラッシュ・メモリIC 64Mb SPI 100MHz 16-SOIC
AT25DF641-S3H-Tのフラッシュ・メモリIC 64Mb （256のバイトXの32Kページ） SPI 100MHz 16-SOIC 64メガビットの2.7ボルト最低SPIの連続フラッシュ・メモリ 製品仕様書 包装 テープ及び巻き枠（TR）...
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
609第4018のbaoan道、Xixiangの通り、Baoan地区、シンセン、広東省
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