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BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNPのトランジスター分離した半導体
BC846B 1B NPNの一般目的のトランジスターSMD SOT23分離した半導体 特徴•低い現在（最高。100 Ma）•低電圧（最高。65 V）。 適用•一般目的の切換えおよび拡大。 記述Sot23プラスチック パッケージのNpnのトランジスター。Pnp...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
15ns 108V NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメントLM5109BQNGTTQ1
NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI LM5109BQNGTTQ1 ECADモジュール PCB記号、足跡及び3Dモデル 公開市場の擬似脅威 34のpct。 需要と供給の状態 限ら...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
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7F、造るFのLongjing科学公園、335 Bulongの道、Ma Antangのコミュニティ、Bantianの通り、Longgang地区、シンセン、中国
MMDT3946DWは低い電力の拡大のためのNPNおよびPNPのトランジスターSOT-363二倍になります
MMDT3946DWはトランジスター（NPN+PNP） SOT-363二倍になります MMDT3946DWは低い電力の拡大のためのNPNおよびPNPのトランジスターSOT 363二倍になります 特徴 補足の組 1 3904タイプNPN 1 3906タイプPNP エピタキシアル平面は構造死にます 低い電力の拡大および切換えのための理想...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
穴の土台を通したBC213L-C時代遅れNPN PNPのトランジスター30V 500mA 200MHz 625mW
穴を通したBC213L-C NPN PNPのトランジスター両極トランジスターPNP 30V 500mA 200MHz 625mW PNPの一般目的のアンプ •この装置は300mAへのコレクター流れを要求する一般目的のアンプおよびスイッチとして使用のためにdeisgned。 •プロセス68から供給された。 •特徴についてはPN200を見て下さい。 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品 トランジスターは- （BJT）両極-選抜します 製造業者 オン・セミコンダクター シリーズ - 包装 大きさ 部分の状態 時代遅れ トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター（（最高） IC） 500mA 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） 30V Vceの飽和（最高） @ Ib、IC 600mV @ 5mA、100mA 現在-コレクターの締切り（最高） 15nA......
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TIP42C両極にNPN PNPのトランジスター100V 6A現在に65W力HFEの分かれること
TIP42C NPN PNPのトランジスター両極（BJT）トランジスターPNP 100V 6A 65W 特徴 ■補足PNP-NPNの装置 ■の新しい高められたシリーズ ■の高い切り替え速度 ■のhFEの分かれること ■のhFEによって改善される直線性 適用 ■の一般目的回路 ■のオーディオ・アンプ 線形■力および切換え 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-252プラスチック パッケージの基礎島の技術NPN力トランジスターです。補足PNPのタイプはTIP42Cです 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品 トランジスターは- （BJT）両極-選抜します 製造業者 STMicroelectronics シリーズ - 包装 管 部分の状態 活動的 トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター（（最高） IC） 6A 電......
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220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W
穴TO-220ABを通したD45H8 NPN PNPのトランジスター両極（BJT）トランジスターPNP 60V 10A 50W 補足力トランジスター 特徴 ■の低いコレクター エミッターの飽和電圧 ■の速い切り替え速度 適用 ■の電力増幅器 ■の切換え回路 記述 装置は低電圧の多エピタキシアル平面の技術で製造されます。それらは一般目的の線形および切換えの適用のために意図されています 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品 トランジスターは- （BJT）両極-選抜します 製造業者 STMicroelectronics シリーズ - 包装 管 部分の状態 時代遅れ トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター（（最高） IC） 10A 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） 60V Vceの飽和（最高） @ Ib、IC 1V @ 400mA、8A 現在-コレクター......
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FMMT734TAダーリントンNPN PNPのトランジスター140MHz 625mW表面の台紙のSOT 23 3
FMMT734TA NPN PNPのトランジスター両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン100V 800mA 140MHz 625mWの表面の台紙SOT-23-3 特徴 BVCEO > -100Vの IC = -800mAの高く連続的なコレクター流れの ダーリントンのトランジスターhFE >高利得のための20k @ 100mA 高利得5Aに遅らせて下さい 625mW電力損失の ダーリントン補足のNPNのタイプ:FMMT634 迎合的な全く無鉛及び十分にRoHS （ノート1及び2） ハロゲンおよびアンチモンは放します。「緑」装置（ノート3）の 高い信頼性のためにAEC-Q101標準に修飾される 機械データ の場合:SOT23 場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合の 94V-0を評価するULの燃焼性の分類 湿気感受性:J-STD-020ご......
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2SC4793 NPN PNPのトランジスター穴を通した高い転移の頻度100つのMHz
2SC4793 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述 ·TO-220Fのパッケージを使って ·2SA1837をタイプする補足物 ·高い転移の頻度 適用 ·電力増幅器の塗布 ·運転者段階のアンプの塗布 製品特質 属性値 土台様式: 穴を通して トランジスター極性: NPN 構成: 単一 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: 230V コレクターの基礎電圧VCBO: 230V エミッターの基礎電圧VEBO: 5V 最高DCのコレクター流れ: 1A 利益帯域幅プロダクトfT: 100つのMHz 最低の実用温度: - 55 C 最高使用可能温度: + 150 C 連続的なコレクター流れ: 1A Pd -電力損失: 2W デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社 www.zd_zd_icmemorychip.com 電子メール:sales3......
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15ns 108V NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメントLM5109BQNGTTQ1
NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI LM5109BQNGTTQ1 ECADモジュール PCB記号、足跡及び3Dモデル 公開市場の擬似脅威 34のpct。 需要と供給の状態 限ら...
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