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1 - 10 の結果 silicon npn power transistor から 32982 製品
IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET
IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET Npn力トランジスター 記述 国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsは達成するのに高度の加工の技巧を利用する ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。速い切り替え速度と結合され、高耐久...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
2SC2987ケイ素NPN力トランジスター、120W 20Aの高い発電のトランジスター
2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3エミッター 絶対最高評価（Ta=25℃） 記号 変数 条件 価値 VCBO コレクター基盤の電圧 エミッターを開けて下さい 140V VCEO コレクター エミッターの電圧 基盤を開けて下さい 140V VEBO エミッター基盤の電圧 コレクターを開けて下さい 5V IC コレクター流れ（DC） 12A ICM コレクターの現在ピーク 20A PC コレクターの電力損失 TC=25℃ 120W Tj 接合部温度 150 ℃ Tstg 保管温度 -55~150 ℃ デリカテッセンの......
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
TO-3 15A 200V 150W 2SD665のケイ素NPN力トランジスター
2SD665ケイ素NPN力トランジスター15A 200V 150W TO-3 記述: TO-3パッケージを使って 2SB645をタイプする補足物 高い発電の消滅 電力増幅器の塗布 力の転換の適用 DC-DCのコンバーター パッケージの輪郭: TO-3...
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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BD135ケイ素NPN力トランジスター高圧力mosfet二重力mosfet
BD135ケイ素NPN力トランジスター高圧力mosfet二重力mosfet この一連のプラスチックは、medium−powerのケイ素NPNのトランジスター補足か準補足回路を利用するオーディオ・アンプおよび運転者として使用のために設計されています。 特徴 •Pb−Freeのパッケー...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター
TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴■の低いコレクター エミッターの飽和電圧■補足NPN - PNPのトランジスター 適用■の一般目的■のオーディオ・アンプ 記述装置はエピタキシアル基盤の平面の技術で製造され、線形音声、力および切換え...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
BD135 シリコン NPN パワートランジスタ高電圧パワー MOSFET デュアル パワー MOSFET
Array...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
TO-220パッケージが付いている2SC2073力Mosfetのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター
シリコンNPNパワートランジスタ2SC2073 DESCRIPTION ・TO-220パッケージ ・2SA940型に補完する アプリケーション ・パワーアンプのアプリケーション ・垂直出力アプリケーション 絶対最大定格（Ta = 25℃） シンボル パラメータ...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
基礎流れ5 BD911 3 Pinのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター
ケイ素NPN力トランジスターBD909 BD911 記述· ·TO-220Cのパッケージを使って ·BD910 BD912をタイプする補足物 適用· 線形力および切換えの適用の使用のためのIntented 記号 変数 条件 価...
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B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
2SC4927力Mosfetのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター
ケイ素NPN力トランジスター2SC4927 記述 ·TO-3PMLのパッケージを使って ·作り付けのダンパーのダイオード ·高い絶縁破壊電圧 適用 ·TV/Characterの表示横の偏向の出力塗布 絶対最高評価（Ta=25℃） 記号...
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B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
2SD1880力Mosfetのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター
ケイ素NPN力トランジスター2SD1880 記述 ·TO-3PMLのパッケージを使って ·高速 ·高い絶縁破壊電圧 ·高い信頼性 ·より湿気があるダイオードで造られる 適用 ·TVの横の偏向の出力を着色して下さい ·カラー ディスプレイの横の偏向の出力。...
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B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
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