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1 - 10 の結果 power zener diode から 27762 製品
BZT52C2V4-BZT52C43力のツェナー ダイオードVF 0.9V PD 357℃/Wの中型の流れ
1N4727A~1N4761Aケイ素平面力のツェナー ダイオード 特徴: 平面構造は死にます 350mW力のDissipationon陶磁器PCB 一般目的、中型の流れ 理想的には自動化された組立工程に適されて 無鉛版で利用できる 絶対最高評価（Ta=2...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
SOD-323パッケージ300mWの電力損失のMM3ZB18 18V力のツェナー ダイオード
MM3ZB18 SOD-323 18Vのケイ素の平面のツェナー ダイオード SOD-323パッケージ300mWの電力損失のMM3ZB18 18V力のツェナー ダイオード MM3Z2B4~MM3ZB75 SOD-323 Datasheet.pdf 特徴: 電力損失:300 MW Zenerの電圧許容:± 2% 最高の評価および特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ） 変数 記号 価値 単位 電力損失 Ptot 300 MW 接合部温度 TJ 150 ℃ 周囲の空気への熱抵抗の接続点 RthA 417 ℃/W 前方電圧の=10mAなら VF 0.9 V Huixinのプロダクトは自動車電子工学、医用電子工学、宇宙航空の、緑の照明、コミュニケーション プロダクト、電源プロダクト、IT製品、家庭用電化製品、スマートなメートルおよびそうそのようなもののような多くの適用分野にのために国内外で有名な......
広東省Huixinの電子工学の技術Co.、株式会社。
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Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
ケイ素エピタキシアル平面力のツェナー ダイオードZMM1~ZMM75 RthA 0.3K/W
ZMM1~ZMM75ケイ素のエピタキシアル平面のツェナー ダイオード 製品の説明 自動挿入のためのMiniMELFの場合特に。Zenerの電圧は国際的なE24標準に従って等級別になります。より小さい電圧許容およびZenerのより高い電圧は要望に応じてあります。 これら...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
表面によって取付けられる適用のための1.5W力のツェナー ダイオードSMA5913B-SMA5942B
電子ComponetsのためのSMA5942Bの耐久財を通した1.5W力のツェナー ダイオードSMA5913B ツェナー ダイオードは主に参照の電圧を提供する電圧安定器装置として使用されます 電圧安定器のためまたは他の半導体デバイスを瞬時の電圧脈拍から保護するため。 これらの装置は逆の故障地域で作動するように設計されている特定のタイプ ダイオードです。 それは流れが理想的なダイオードと同じように前方方向で流れるようにしますがまた 電圧がとして知られているある特定の価値の上にあるときそれが反対方向で流れるようにして下さい 絶縁破壊電圧、「zener膝電圧」のか「zener電圧」の。 特徴 1. 表面によって取付けられる適用のため 2.低いzenerのインピーダンス 3.低い正規の要因 4. VZ-tolerance±5% 絶対最高評価 Tj=25℃ 変数 テスト条件 記号 価値 単位 電力損......
ウーシーXuyangの電子工学Co.、株式会社。
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No.149のZhongxinの道、高城の町、宜興市都市、江蘇、中国
内部に閉じ込められるBZX84C2V4-BZX84C43力のツェナー ダイオードSOT-23のプラスチック-
BZX84C2V4-BZX84C43ツェナー ダイオードSOT-23のプラスチック-内部に閉じ込めて下さい 製品の説明 平面構造は死にます 300mW電力損失 2.4V-43VからのZenerの電圧 超小さい表面の台紙のパッケージの電力損失...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
ケイ素平面の高い現在の力のツェナー ダイオード1V VF IE24の標準
BZX55Cのケイ素の平面のツェナー ダイオード 製品の説明 Zenerの電圧はinternationa lE24の標準に従って等級別になる。他の許容 Zenerのより高い電圧は要望に応じてある。 絶対最高評価（Ta=25℃） 特徴...
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
ケイ素平面の高い現在の力のツェナー ダイオード1V VF IE24の標準
BZX55Cのケイ素の平面のツェナー ダイオード 製品の説明 Zenerの電圧はinternationa lE24の標準に従って等級別になる。他の許容 Zenerのより高い電圧は要望に応じてある。 絶対最高評価（Ta=25℃） 特徴...
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
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9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
BZT52C2V4-BZT52C43力のツェナー ダイオードVF 0.9V PD 357℃/Wの中型の流れ
1N4727A~1N4761Aケイ素平面力のツェナー ダイオード 特徴: 平面構造は死にます 350mW力のDissipationon陶磁器PCB 一般目的、中型の流れ 理想的には自動化された組立工程に適されて 無鉛版で利用できる 絶対最高評価（Ta=2...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
ケイ素エピタキシアル平面力のツェナー ダイオードZMM1~ZMM75 RthA 0.3K/W
ZMM1~ZMM75ケイ素のエピタキシアル平面のツェナー ダイオード 製品の説明 自動挿入のためのMiniMELFの場合特に。Zenerの電圧は国際的なE24標準に従って等級別になります。より小さい電圧許容およびZenerのより高い電圧は要望に応じてあります。 これら...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
内部に閉じ込められるBZX84C2V4-BZX84C43力のツェナー ダイオードSOT-23のプラスチック-
BZX84C2V4-BZX84C43ツェナー ダイオードSOT-23のプラスチック-内部に閉じ込めて下さい 製品の説明 平面構造は死にます 300mW電力損失 2.4V-43VからのZenerの電圧 超小さい表面の台紙のパッケージの電力損失...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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