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1 - 10 の結果 power transistor circuit から 59715 製品
3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧
TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13002Bトランジスター（NPN）を 特徴 力の切換えの適用 印が付いていること 13002B=Deviceコード 固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green XXX=C...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路 Npn力トランジスター塗布 DCコンバーターへのDC 低電圧モーター コントローラー これらはの200Vよりより少し低電圧スイッチで広く利用されています Npn力トランジスター記述...
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LEDドライブのためのNチャネルMosfet力トランジスター2A 600V回線交換
LEDドライブのためのNチャネルMosfet力トランジスター2A 600V回線交換 Mosfet力トランジスター記述 AP50N20Dの使用高度の堀 優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供する技術。 補足のMOSFETsが他のホストのためのレベルによって移される高い側面スイ...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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電池式システムのためのAP5N10SI NチャネルMosfet力トランジスター
電池式システムのためのAP5N10SI NチャネルMosfet力トランジスター NチャネルMosfet力トランジスター記述: AP5N10SIは単一Nチャネルの論理です 強化モード力の電界効果トランジスタへの 優秀なR DS （）、低いゲート充満および低いを提供して下さい...
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SI4010-C2-GTR RF力トランジスター-高性能および信頼性
SI4010-C2-GTR RF力トランジスター 記述: SI4010-C2-GTRは広い応用範囲の使用のために設計されている高性能RF力トランジスターである。それは優秀な利益、高性能および優秀な険しさおよび信頼性提供する。SI4010-C2-GTRは電力増幅器、転換回路お...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen
3DD13002B高い発電のトランジスター回路VCEO 400Vの低い飽和電圧
TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13002Bトランジスター（NPN）を 特徴 力の切換えの適用 印が付いていること 13002B=Deviceコード 固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green XXX=C...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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回路の高圧Npn力トランジスターTIP42C 100V 6A TO220パッケージを転換して下さい
スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー...
シンセンATFUの電子工学の技術株式会社
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路 Npn力トランジスター塗布 DCコンバーターへのDC 低電圧モーター コントローラー これらはの200Vよりより少し低電圧スイッチで広く利用されています Npn力トランジスター記述...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
LEDドライブのためのNチャネルMosfet力トランジスター2A 600V回線交換
LEDドライブのためのNチャネルMosfet力トランジスター2A 600V回線交換 Mosfet力トランジスター記述 AP50N20Dの使用高度の堀 優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供する技術。 補足のMOSFETsが他のホストのためのレベルによって移される高い側面スイ...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
電池式システムのためのAP5N10SI NチャネルMosfet力トランジスター
電池式システムのためのAP5N10SI NチャネルMosfet力トランジスター NチャネルMosfet力トランジスター記述: AP5N10SIは単一Nチャネルの論理です 強化モード力の電界効果トランジスタへの 優秀なR DS （）、低いゲート充満および低いを提供して下さい...
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