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HEXFET力Mosfetのトランジスター、力mosfetモジュールIRF7329
HEXFETパワーMOSFETトランジスタ、パワーMOSFETモジュールIRF7329 トレンチ技術 超低オン抵抗 デュアルPチャネルMOSFET ロープロファイル（<1.8ミリメートル） テープ＆リールで利用可能 無鉛の 説明 インターナショナル...
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B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター
MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 （NPN） MJD117 （PNP） 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル...
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SI2301CDS -T1 - E3高い発電mosfetのトランジスターP -チャネル20-V （D-S） MOSFET
SI2301CDS -T1 - E3高い発電mosfetのトランジスターP -チャネル20-V （D-S） MOSFETPチャネル20-V （D-S） MOSFET 特徴 •利用できるハロゲンなしの選択 •TrenchFET®力MOSFET 適用 •負荷スイッチ...
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FDS9435AパワーMOSFETシングルPチャネル電界効果トランジスタ
FDS9435AパワーMOSFETシングルPチャネル電界効果トランジスタ 概要 このPチャネルMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクタの高度なPowerTrenchプロセスの堅牢なゲートバージョンです。 幅広い駆動電圧定格（4.5V〜25V）を必要とする電力管理アプリケーションに...
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FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET
FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET 概説 これらはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な切換えの性能を維持するために作り出されます進められたPowerTrenchプロセ...
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短絡力 電界効果トランジスタ のトランジスター Autoprotected VND3NV0413TR
短絡力 電界効果トランジスタ のトランジスター Autoprotected VND3NV0413TR 特徴 タイプ RDS （） Ilim Vclamp VNN3NV04 VNS3NV...
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LM1951Tの切換え力mosfetのアンプICの破片力MosfetのトランジスターLM1951ソリッド ステート1つのAmpスイッチ
LM1951Tの切換え力mosfetのアンプICの破片力MosfetのトランジスターLM1951ソリッド ステート1つのAmpスイッチ 概説 LM1951は高い流れ、高圧、作り付けのエラー検出回路が付いている高い側面の（PNP）スイッチです。 LM1951は1つのAmpの出力電流を提供す...
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ケイ素平面力 電界効果トランジスタ のトランジスター/電子工学の部品のトランジスター
ケイ素平面力 電界効果トランジスタ のトランジスター/電子工学の部品のトランジスター 特徴 *高利得および低い飽和電圧の補足のタイプ– BCX68 PARTMARKING の細部– BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH...
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元の在庫 FSC に92 2N5459 力 電界効果トランジスタ のトランジスター N チャネル
元の在庫 FSC に92 2N5459 力 電界効果トランジスタ のトランジスター N チャネル 元の在庫 FSC に92 トランジスター 2N5459 力 TRANS N チャネルの一般目的のアンプ この装置は低レベルのオーディオ・アンプおよびスイッチング...
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演算増幅器力Mosfetのトランジスター/一般目的mosfet LM741H、500 MW
演算増幅器力Mosfetのトランジスター/一般目的mosfet LM741H、500 MW 概説 LM741シリーズはLM709のような業界標準上の改善された性能を特色にする一般目的の演算増幅器です。それらは709Cのための直接の、差込式の取り替え、ほとんどの適用のLM201、MC1439...
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