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ケイ素SMDのトランジスターPNP表面の台紙のトランジスターMMBT3906 SOT-23
ケイ素SMDのトランジスターPNP表面の台紙のトランジスターMMBT3906 SOT-23 MMBT3906 SOT-23 PNPの表面の台紙のトランジスター MMBT3906 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 補足のタイプNPNのトランジスター MMBT3904は推薦される エピタキシアル平面は構造死ぬ 印:2A 最高の評価（通知がなければTA=25℃） 変数 記号 価値 単位 Collector-Base電圧 VCBO -40 V Collector-Emitter電圧 VCEO -40 V Emitter-Base電圧 VEBO -5 V 連続的なコレクター流れ- IC -200 mA コレクターの消滅 PC 200 MW 接合部温度 Tj 150 ℃ 私達はいろいろな種類の電子部品を提供する: ダイオード 目的の整流器ダイオード、ショットキー バリア・ダイオード......
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
S8550 SOT-89 0.5A SMDのトランジスターPNPケイ素のエピタキシアル平面トランジスター
S8550 SOT-89 0.5A PNPのケイ素のエピタキシアル平面トランジスター S8550 SOT-89 0.5A SMDのトランジスターPNPケイ素のエピタキシアル平面トランジスター S8550 SOT-89 Datasheet.pdf 特徴...
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3 Pin SMDのトランジスターMMBT3904T SOT 523のエピタキシアル平面は構造死にます
MMBT3904T SOT-523 3 Pin SMDのトランジスター 3 Pin SMDのトランジスターMMBT3904T SOT 523のエピタキシアル平面は構造死ぬ MMBT3904T SOT-523 Datasheet.pdf 特徴 補足のタイプはPNPのトランジスターMMBT3906推薦される エピタキシアル平面は構造死ぬ 最高の評価（通知がなければTA=25℃） 変数 記号 価値 単位 Collector-Base電圧 VCBO 60 V Collector-Emitter電圧 VCEO 40 V Emitter-Base電圧 VEBO 6 V 連続的なコレクター流れ- IC 200 mA コレクターの消滅 PC 150 MW 接合部温度 Tj 150 ℃...
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