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1 - 10 の結果 pc2700 ddr sdram から 455 製品
K4B4G1646E-BYMAサムスンDDR SDRAMのパッケージFBGA-96 ROHS
DDR SDRAM K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA サムスン製造業者 MFR.Part #K4B4G1646E-BYMA JLCPCBの部品#C500275 PackageFBGA-96 DescriptionFBGA-96 DDR SDRAM ROHS データ用紙のダウンロード SourceJLCPCB アセンブリ タイプSMTアセンブリ CAD ModelPCBの足跡か記号 ManufacturerSamsung TechnologyDDR3L Capacity4Gb Organization256Mx16 バスWidthx16 PackageBGA Pin/球Count96 Voltage1.35/1.5V Min. Cycle Time1.072ns 最高。時計Speed933 MHz 最高。データRate1866 MT/s 温度のRange0か...
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
確認済みサプライヤー
部屋2808-2809、Duhuixuan、第3018のShennanの道、Huahangのコミュニティ、Huaqiangの北の通り、福田区、シンセン
1-1473005-1TE ConnectivityAMPコネクタSODIMMDDRSDRAMソケット
1-1473005-1TEコネクティビティAMPコネクタ1473005200ポジションSODIMMDDRSDRAMソケット 詳細 ： 200ポジションSODIMMDDR SDRAMソケット表面実装、25°角度 説明：CONN SKT SODIMM 200POS SMD I...
Angel Technology Electronics Co
確認済みサプライヤー
FL16 沿海ビルディング 東ブロック 南山区 深セン 中国 518000
1GB DDR SDRAMの記憶IC破片MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D
MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - 1GB DDR SDRAM 情報をここで検索します.xlsx 紹介: MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6Dは,1GBのDDR SDRAMモジュールで,さまざまなコンピューティングおよびメモリ密集型アプリケーションで使用するために設計さ...
限られたrongxing国際貿易co.
部屋10bの第10床、電子技術の建物、Huaqiangの北、シンセン
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB DDR SDRAM
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB DDR SDRAM 情報をここで検索します.xlsx 紹介: MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80は,さまざまなコンピューティングおよびメモリ密集型アプリケーションで使用するように設計された512MBのDDR SDRAMモ...
限られたrongxing国際貿易co.
部屋10bの第10床、電子技術の建物、Huaqiangの北、シンセン
256MB DDR SDRAMの記憶IC破片MT29RZ2C2DZZMGMF-18
MT29RZ2C2DZZMGMF-18 - 256MB DDR SDRAM 情報をここで検索します.xlsx 紹介: MT29RZ2C2DZZMGMF-18は,さまざまなコンピューティングおよびメモリ密集型アプリケーションで使用するように設計された256MBのDDR SDRAMモジュールである....
限られたrongxing国際貿易co.
部屋10bの第10床、電子技術の建物、Huaqiangの北、シンセン
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 - 128MB DDR SDRAM
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 - 128MB DDR SDRAM 導入: MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8はいろいろ計算し、記憶集中的な適用の使用のために設計されている128MB DDR SDRAMモジュールである。それはそれに要求の記憶適用のための理...
限られたrongxing国際貿易co.
部屋10bの第10床、電子技術の建物、Huaqiangの北、シンセン
512MB DDR SDRAMの記憶IC破片MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 - 512MB DDR SDRAM 情報をここで検索します.xlsx 紹介: MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4は,さまざまなコンピューティングおよびメモリ密集型アプリケーションで使用するように設計された512MBのDDR SDRAMモ...
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部屋10bの第10床、電子技術の建物、Huaqiangの北、シンセン
Anterwell Technology Ltd.
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Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
MT46V16M16TG-75Cはデータ転送速度DDR SDRAMの線形集積回路を倍増します
MT46V16M16TG-75Cはデータ転送速度DDR SDRAMの線形集積回路を倍増します 特徴 •167のMHzの時計、333 Mb/s/pのデータ転送速度 •VDD = +2.5V ±0.2V、VDDQ = +2.5V ±0.2V •二方向データ ストロボ（DQS）はデータ、すな...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
MT46V8M16TG-6T IT:D TR オリジナル集積回路集積回路チップダブルデータレート DDR SDRAM
ダブルデータレート (DDR) SDRAM 特徴 • 167 MHz クロック、333 Mb/s/p データレート ・VDD = +2.5V ±0.2V、VDDQ = +2.5V ±0.2V • データとともに送信/受信される双方向データ ストローブ (DQS...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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