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operation of pnp transistor

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PB自由なNPN PNPのトランジスターTPS62141RGTR力LDMOSのトランジスター

China PB自由なNPN PNPのトランジスターTPS62141RGTR力LDMOSのトランジスター on sale
NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS62141RGTR Vin (分) (v) 3 Vin (最高の) (v) 17 Vout (分) (v) 1.8...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
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7F、造るFのLongjing科学公園、335 Bulongの道、Ma Antangのコミュニティ、Bantianの通り、Longgang地区、シンセン、中国

2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧

China 2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧 on sale
2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN PowerTransistor 記述 ·低いコレクターの飽和電圧 ·テストされる100%のなだれ ·強い装置性能および信頼できる操作のための最低のロットにロットの変化 適用 ·高い転移の頻度適用 指定 部門:BJT -一般目的 製造業者:RENESASの技術 コレクター流れ(DC):3 (A) コレクター基盤の電圧:60 (V) コレクター エミッターの電圧:60 (V) エミッター基盤の電圧:7 (V) 頻度:120 (MHz) 電力損失:2 (W) 取付け:表面の台紙 作動の臨時雇用者の範囲:-55Cへの150C パッケージのタイプ:TO-252 ピン・カウント:2 +Tab 要素の数:1 実用温度の分類:軍 部門:両極力 堅くなるラド:いいえ トランジスター極性:NPN 出力電力:要求されない(W) 構成:単一 DCの現在......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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穴の土台を通したBC213L-C時代遅れNPN PNPのトランジスター30V 500mA 200MHz 625mW

China 穴の土台を通したBC213L-C時代遅れNPN PNPのトランジスター30V 500mA 200MHz 625mW on sale
穴を通したBC213L-C NPN PNPのトランジスター両極トランジスターPNP 30V 500mA 200MHz 625mW PNPの一般目的のアンプ •この装置は300mAへのコレクター流れを要求する一般目的のアンプおよびスイッチとして使用のためにdeisgned。 •プロセス68から供給された。 •特徴についてはPN200を見て下さい。 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品   トランジスターは- (BJT)両極-選抜します 製造業者 オン・セミコンダクター シリーズ - 包装 大きさ 部分の状態 時代遅れ トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター((最高) IC) 500mA 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 30V Vceの飽和(最高) @ Ib、IC 600mV @ 5mA、100mA 現在-コレクターの締切り(最高) 15nA......
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TIP42C両極にNPN PNPのトランジスター100V 6A現在に65W力HFEの分かれること

China TIP42C両極にNPN PNPのトランジスター100V 6A現在に65W力HFEの分かれること on sale
TIP42C NPN PNPのトランジスター両極(BJT)トランジスターPNP 100V 6A 65W 特徴 ■補足PNP-NPNの装置 ■の新しい高められたシリーズ ■の高い切り替え速度 ■のhFEの分かれること ■のhFEによって改善される直線性 適用 ■の一般目的回路 ■のオーディオ・アンプ 線形■力および切換え 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-252プラスチック パッケージの基礎島の技術NPN力トランジスターです。補足PNPのタイプはTIP42Cです 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品   トランジスターは- (BJT)両極-選抜します 製造業者 STMicroelectronics シリーズ - 包装 管 部分の状態 活動的 トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター((最高) IC) 6A 電......
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220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W

China 220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W on sale
穴TO-220ABを通したD45H8 NPN PNPのトランジスター両極(BJT)トランジスターPNP 60V 10A 50W 補足力トランジスター 特徴 ■の低いコレクター エミッターの飽和電圧 ■の速い切り替え速度 適用 ■の電力増幅器 ■の切換え回路 記述 装置は低電圧の多エピタキシアル平面の技術で製造されます。それらは一般目的の線形および切換えの適用のために意図されています 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品   トランジスターは- (BJT)両極-選抜します 製造業者 STMicroelectronics シリーズ - 包装 管 部分の状態 時代遅れ トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター((最高) IC) 10A 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 60V Vceの飽和(最高) @ Ib、IC 1V @ 400mA、8A 現在-コレクター......
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FMMT734TAダーリントンNPN PNPのトランジスター140MHz 625mW表面の台紙のSOT 23 3

China FMMT734TAダーリントンNPN PNPのトランジスター140MHz 625mW表面の台紙のSOT 23 3 on sale
FMMT734TA NPN PNPのトランジスター両極(BJT)トランジスターPNP -ダーリントン100V 800mA 140MHz 625mWの表面の台紙SOT-23-3 特徴 BVCEO > -100Vの IC = -800mAの高く連続的なコレクター流れの ダーリントンのトランジスターhFE >高利得のための20k @ 100mA 高利得5Aに遅らせて下さい 625mW電力損失の ダーリントン補足のNPNのタイプ:FMMT634 迎合的な全く無鉛及び十分にRoHS (ノート1及び2) ハロゲンおよびアンチモンは放します。「緑」装置(ノート3)の 高い信頼性のためにAEC-Q101標準に修飾される 機械データ の場合:SOT23 場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合の 94V-0を評価するULの燃焼性の分類 湿気感受性:J-STD-020ご......
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NJW0281G 50W両極NPN PNPのトランジスターTO-3P

China NJW0281G 50W両極NPN PNPのトランジスターTO-3P on sale
NJW0281G補足NPN-PNPの力の両極トランジスターTO-3P NJW0281G 250V 15A 150W hfe75-150 NJW0302G 250V 15A 150W hfe75-150は組である。 これらの補足装置は普及したNJW3281GおよびNJW1302G...
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PB自由なNPN PNPのトランジスターTPS62141RGTR力LDMOSのトランジスター

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NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS62141RGTR Vin (分) (v) 3 Vin (最高の) (v) 17 Vout (分) (v) 1.8...
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