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1 - 10 の結果 npn type transistor から 15979 製品
ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C npn型トランジスタ TIP31C TO-220-3
ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C NPNタイプトランジスタ TIP31C トランジスタTO-220-3 3AMPER パワートランジスタ 補完シリコン 40−60−80−100VOLTS, 40WATTS 特徴 • 高電流増幅 − 帯域幅製品...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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部屋Lの第23床、建物B、Duhui 100、Zhonghang Rdの福田区、シンセン都市、広東省
表面の台紙SMDのトランジスターBC847B SOT-23 NPNタイプ トランジスター
BC847B SOT-23 NPNの表面の台紙のトランジスター 表面の台紙SMDのトランジスターBC847B SOT-23 NPNタイプ トランジスター BC846-BC848 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 理想的には自動...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国
S9012優秀なHFEの直線性に補足S9013 SOT-23 Npnのタイプ トランジスター
S9012に補足S9013 SOT-23 NPNのトランジスター S9013 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 S9012に無料 優秀なhFEの直線性 印:J3 最高の評価（通知がなければTA=25℃） 変数 記号 価値 単位 Collector-Base電圧 VCBO 40 V Collector-Emitter電圧 VCEO 25 V Emitter-Base電圧 VEBO 5 V 連続的なコレクター流れ- IC 0.5 コレクターの消滅 PC 0.3 W 接合部温度 Tj 150 ℃ 1.Ensure専門の技術の優秀な良質品 豊富な経験および独特な専門の技術の幾年もの間半導体デバイスのR & Dそして製造に焦点を合わせること; 工場100,000平方メートルのおよび国際的な先端的オートメーション装置および試験装置に装備すること所有する; 渡されるSGSテストおよ......
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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BUV20 ST 40A 300V 250Wのケイ素NPN PNPのトランジスター
BUV20 ST高い現在の40A NPN 300V 250Wのケイ素のトランジスターTO-3 特徴: PN:BUV20 タイプ:高い現在のNPNのケイ素のトランジスター 電圧:300V 現在:40A 力:250W パッケージ:TO-3 stm Icroelec...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
2SC4793 NPN PNPのトランジスター穴を通した高い転移の頻度100つのMHz
2SC4793 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述 ·TO-220Fのパッケージを使って ·2SA1837をタイプする補足物 ·高い転移の頻度 適用 ·電力増幅器の塗布 ·運転者段階のアンプの塗布 製品特質 属性値 土台様式: 穴を通して トランジスター極性: NPN 構成: 単一 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: 230V コレクターの基礎電圧VCBO: 230V エミッターの基礎電圧VEBO: 5V 最高DCのコレクター流れ: 1A 利益帯域幅プロダクトfT: 100つのMHz 最低の実用温度: - 55 C 最高使用可能温度: + 150 C 連続的なコレクター流れ: 1A Pd -電力損失: 2W デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社 www.zd_zd_icmemorychip.com 電子メール:sales3......
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6DI30A 120力のスイッチング・トランジスタSi NPN力トランジスター6チャネル
6DI30A-120 NPN PNPのトランジスター30A、1200V、6は、NPN、Siの力トランジスター運びます 電気特徴 現在最高コレクター（IC） 30A 電圧最高コレクター エミッター 1200V 構成 複雑 DCの現在の利益分（hFE） 70A タイム最高落下（tf） 3000 JESD-30コード R-PUFM-X17 要素の数 6 ターミナルの数 17 パッケージ ボディ材料 PLASTIC/EPOXY パッケージの形 長方形 パッケージ様式 フランジの台紙 極性/チャネル タイプ NPN 包囲され最高電力損失 230W 消滅最高力（ABS） 230W 資格の状態 修飾されない タイム最高上昇（tr） 3000 補助的な部門 BIPの一般目的力 表面の台紙 いいえ 末端の形態 明記していない 末端の位置 上部 トランジスター塗布 転換 トランジスター要素材料 ケイ素 タイム......
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2SD2227S 50V DC 0.15Aの一般目的のトランジスターNPNタイプ単一構成
2SD2227S NPN PNPのトランジスター一般目的のトランジスター50V 0.15A 中型力トランジスター（25V、1.2V）、一般目的のトランジスター（50V、0.15A） 特徴 1) 高いDCの現在の利益。 2) 高いエミッター基盤の電圧。（VCBO=12V） 3) 低い飽和電圧。（Typ。VCE （坐る） IC/IB=50mA/5mAの=0.3V） 製品特質 属性値 土台様式: SMD/SMT トランジスター極性: NPN 構成: 単一 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: 50V コレクターの基礎電圧VCBO: 60V エミッターの基礎電圧VEBO: 12V 最高DCのコレクター流れ: 0.15A 利益帯域幅プロダクトfT: 250のMHz 最高使用可能温度: + 150 C 最高DCの現在の利益hFE: 5ボルトの1 mAの1200 連続的なコレクター流れ: 0......
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2SC2987ケイ素NPN力トランジスター、120W 20Aの高い発電のトランジスター
2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3エミッター 絶対最高評価（Ta=25℃） 記号 変数 条件 価値 VCBO コレクター基盤の電圧 エミッターを開けて下さい 140V VCEO コレクター エミッターの電圧 基盤を開けて下さい 140V VEBO エミッター基盤の電圧 コレクターを開けて下さい 5V IC コレクター流れ（DC） 12A ICM コレクターの現在ピーク 20A PC コレクターの電力損失 TC=25℃ 120W Tj 接合部温度 150 ℃ Tstg 保管温度 -55~150 ℃ デリカテッセンの......
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FMMT734TAダーリントンNPN PNPのトランジスター140MHz 625mW表面の台紙のSOT 23 3
FMMT734TA NPN PNPのトランジスター両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン100V 800mA 140MHz 625mWの表面の台紙SOT-23-3 特徴 BVCEO > -100Vの IC = -800mAの高く連続的なコレクター流れの ダーリントンのトランジスターhFE >高利得のための20k @ 100mA 高利得5Aに遅らせて下さい 625mW電力損失の ダーリントン補足のNPNのタイプ:FMMT634 迎合的な全く無鉛及び十分にRoHS （ノート1及び2） ハロゲンおよびアンチモンは放します。「緑」装置（ノート3）の 高い信頼性のためにAEC-Q101標準に修飾される 機械データ の場合:SOT23 場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合の 94V-0を評価するULの燃焼性の分類 湿気感受性:J-STD-020ご......
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