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1 - 10 の結果 npn silicon transistor から 10067 製品
MJE340Gの中型力0.5A 300V 20W NPNのケイ素のトランジスター
MJE340GプラスチックMedium-Power NPNのケイ素のトランジスター0.5A力トランジスター300V 20W 特徴 •TransformerlessのLine−Operated装置のために適した •Thermopadの構造は高い信頼性に高い発電の消滅の評価を提供する...
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
A92高い流れNPNのトランジスター、高い発電NPNのケイ素のトランジスター
SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA92トランジスター（NPN）を 特徴 低いコレクター エミッターの飽和電圧 高い絶縁破壊電圧 印が付いていること:A92 最高の評価（通知がなければTa=25℃）...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
2SC5027三重の拡散させたNPN力トランジスターNPNケイ素のトランジスター3.0PF
2SC5027拡散する一般目的の整流器ダイオードのトランジスター ケイ素NPNの三重 高圧切換えおよびアンプの適用 *高圧:VCEO = 300V *小さいコレクターの出力キャパシタンス:Cob=3.0pf 変数 記号 評価 単位 コレクター基盤の電圧 VCBO 300 V コレクター エミッターの電圧 VCEO 300 V エミッター基盤の電圧 VEBO 7 V コレクター流れ IC 100 mA 基礎流れ IB 50 mA コレクターの電力損失 PC 1.3 W 接合部温度 TJ 150 ℃ 保管温度 TSTG -55 | +150 ℃ デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社 www.zd_zd_icmemorychip.com 電子メール:sales3@deli-ic.com Skype:hkdeli881 TEL:86-0755-82539981......
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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BUV20 ST 40A 300V 250Wのケイ素NPN PNPのトランジスター
BUV20 ST高い現在の40A NPN 300V 250Wのケイ素のトランジスターTO-3 特徴: PN:BUV20 タイプ:高い現在のNPNのケイ素のトランジスター 電圧:300V 現在:40A 力:250W パッケージ:TO-3 stm Icroelec...
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET
IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET Npn力トランジスター 記述 国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsは達成するのに高度の加工の技巧を利用する ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。速い切り替え速度と結合され、高耐久...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C npn型トランジスタ TIP31C TO-220-3
ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C NPNタイプトランジスタ TIP31C トランジスタTO-220-3 3AMPER パワートランジスタ 補完シリコン 40−60−80−100VOLTS, 40WATTS 特徴 • 高電流増幅 − 帯域幅製品...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
2SC2987ケイ素NPN力トランジスター、120W 20Aの高い発電のトランジスター
2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3エミッター 絶対最高評価（Ta=25℃） 記号 変数 条件 価値 VCBO コレクター基盤の電圧 エミッターを開けて下さい 140V VCEO コレクター エミッターの電圧 基盤を開けて下さい 140V VEBO エミッター基盤の電圧 コレクターを開けて下さい 5V IC コレクター流れ（DC） 12A ICM コレクターの現在ピーク 20A PC コレクターの電力損失 TC=25℃ 120W Tj 接合部温度 150 ℃ Tstg 保管温度 -55~150 ℃ デリカテッセンの......
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
MJE340Gの中型力0.5A 300V 20W NPNのケイ素のトランジスター
MJE340G プラスチック 中等電源 NPN シリコントランジスタ 0.5A 電源トランジスタ 300V 20W 特徴 • トランスフォーマーなしの線路操作装置に適しています • サーモパッド 建設により高い信頼性のための高出力分散率 • これらのデバイスは,Pb−フリーで,RoHS準拠...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
A92高い流れNPNのトランジスター、高い発電NPNのケイ素のトランジスター
SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA92トランジスター（NPN）を 特徴 低いコレクター エミッターの飽和電圧 高い絶縁破壊電圧 印が付いていること:A92 最高の評価（通知がなければTa=25℃）...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
2SK2996 3 PinのトランジスターNチャネルMOS FET NPNのケイ素のトランジスター
標準的な提供（熱い販売法） 部品番号。 量 ブランド D/C パッケージ L6599D 6828 ST 13+ SOP-16 L7805ABP 12978 ST...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
を提出してください “npn silicon transistor”
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