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1 - 10 の結果 npn power transistor から 20834 製品
IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET
IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET Npn力トランジスター 記述 国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsは達成するのに高度の加工の技巧を利用する ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。速い切り替え速度と結合され、高耐久...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路 Npn力トランジスター塗布 DCコンバーターへのDC 低電圧モーター コントローラー これらはの200Vよりより少し低電圧スイッチで広く利用されています Npn力トランジスター記述...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
2SC2987ケイ素NPN力トランジスター、120W 20Aの高い発電のトランジスター
2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3エミッター 絶対最高評価（Ta=25℃） 記号 変数 条件 価値 VCBO コレクター基盤の電圧 エミッターを開けて下さい 140V VCEO コレクター エミッターの電圧 基盤を開けて下さい 140V VEBO エミッター基盤の電圧 コレクターを開けて下さい 5V IC コレクター流れ（DC） 12A ICM コレクターの現在ピーク 20A PC コレクターの電力損失 TC=25℃ 120W Tj 接合部温度 150 ℃ Tstg 保管温度 -55~150 ℃ デリカテッセンの......
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
TO-3 15A 200V 150W 2SD665のケイ素NPN力トランジスター
2SD665ケイ素NPN力トランジスター15A 200V 150W TO-3 記述: TO-3パッケージを使って 2SB645をタイプする補足物 高い発電の消滅 電力増幅器の塗布 力の転換の適用 DC-DCのコンバーター パッケージの輪郭: TO-3...
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
BSC109N10NS3G npn パワートランジスタ 109N10NS n チャネルモスフェット
BSC109N10NS3G npn電源トランジスタ 109N10NS nチャンネルモスフェット 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 特徴 · 高周波アプリケーションでは非常に低いゲートチャージ■DC-DC変換に最適化されたNチャンネル,通常のレベル■優れたゲート料金 × RDs (...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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6DI30A 120力のスイッチング・トランジスタSi NPN力トランジスター6チャネル
6DI30A-120 NPN PNPのトランジスター30A、1200V、6は、NPN、Siの力トランジスター運びます 電気特徴 現在最高コレクター（IC） 30A 電圧最高コレクター エミッター 1200V 構成 複雑 DCの現在の利益分（hFE） 70A タイム最高落下（tf） 3000 JESD-30コード R-PUFM-X17 要素の数 6 ターミナルの数 17 パッケージ ボディ材料 PLASTIC/EPOXY パッケージの形 長方形 パッケージ様式 フランジの台紙 極性/チャネル タイプ NPN 包囲され最高電力損失 230W 消滅最高力（ABS） 230W 資格の状態 修飾されない タイム最高上昇（tr） 3000 補助的な部門 BIPの一般目的力 表面の台紙 いいえ 末端の形態 明記していない 末端の位置 上部 トランジスター塗布 転換 トランジスター要素材料 ケイ素 タイム......
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-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路 Npn力トランジスター塗布 DCコンバーターへのDC 低電圧モーター コントローラー これらはの200Vよりより少し低電圧スイッチで広く利用されています Npn力トランジスター記述...
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
回路の高圧Npn力トランジスターTIP42C 100V 6A TO220パッケージを転換して下さい
スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー...
シンセンATFUの電子工学の技術株式会社
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
を提出してください “npn power transistor”
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