Business license check OK
1 - 10 の結果 npn pnp transistor から 18830 製品
TIP42C両極にNPN PNPのトランジスター100V 6A現在に65W力HFEの分かれること
TIP42C NPN PNPのトランジスター両極（BJT）トランジスターPNP 100V 6A 65W 特徴 ■補足PNP-NPNの装置 ■の新しい高められたシリーズ ■の高い切り替え速度 ■のhFEの分かれること ■のhFEによって改善される直線性 適用 ■の一般目的回路 ■のオーディオ・アンプ 線形■力および切換え 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-252プラスチック パッケージの基礎島の技術NPN力トランジスターです。補足PNPのタイプはTIP42Cです 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品 トランジスターは- （BJT）両極-選抜します 製造業者 STMicroelectronics シリーズ - 包装 管 部分の状態 活動的 トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター（（最高） IC） 6A 電......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
確認済みサプライヤー
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
FMMT734TAダーリントンNPN PNPのトランジスター140MHz 625mW表面の台紙のSOT 23 3
FMMT734TA NPN PNPのトランジスター両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン100V 800mA 140MHz 625mWの表面の台紙SOT-23-3 特徴 BVCEO > -100Vの IC = -800mAの高く連続的なコレクター流れの ダーリントンのトランジスターhFE >高利得のための20k @ 100mA 高利得5Aに遅らせて下さい 625mW電力損失の ダーリントン補足のNPNのタイプ:FMMT634 迎合的な全く無鉛及び十分にRoHS （ノート1及び2） ハロゲンおよびアンチモンは放します。「緑」装置（ノート3）の 高い信頼性のためにAEC-Q101標準に修飾される 機械データ の場合:SOT23 場合材料:形成されたプラスチック、「緑の」形成の混合の 94V-0を評価するULの燃焼性の分類 湿気感受性:J-STD-020ご......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
確認済みサプライヤー
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
穴の土台を通したBC213L-C時代遅れNPN PNPのトランジスター30V 500mA 200MHz 625mW
穴を通したBC213L-C NPN PNPのトランジスター両極トランジスターPNP 30V 500mA 200MHz 625mW PNPの一般目的のアンプ •この装置は300mAへのコレクター流れを要求する一般目的のアンプおよびスイッチとして使用のためにdeisgned。 •プロセス68から供給された。 •特徴についてはPN200を見て下さい。 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品 トランジスターは- （BJT）両極-選抜します 製造業者 オン・セミコンダクター シリーズ - 包装 大きさ 部分の状態 時代遅れ トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター（（最高） IC） 500mA 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） 30V Vceの飽和（最高） @ Ib、IC 600mV @ 5mA、100mA 現在-コレクターの締切り（最高） 15nA......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
確認済みサプライヤー
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
2SC4793 NPN PNPのトランジスター穴を通した高い転移の頻度100つのMHz
2SC4793 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述 ·TO-220Fのパッケージを使って ·2SA1837をタイプする補足物 ·高い転移の頻度 適用 ·電力増幅器の塗布 ·運転者段階のアンプの塗布 製品特質 属性値 土台様式: 穴を通して トランジスター極性: NPN 構成: 単一 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: 230V コレクターの基礎電圧VCBO: 230V エミッターの基礎電圧VEBO: 5V 最高DCのコレクター流れ: 1A 利益帯域幅プロダクトfT: 100つのMHz 最低の実用温度: - 55 C 最高使用可能温度: + 150 C 連続的なコレクター流れ: 1A Pd -電力損失: 2W デリカテッセンの電子工学のtehcnologyのco株式会社 www.zd_zd_icmemorychip.com 電子メール:sales3......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
確認済みサプライヤー
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
220AB高性能への穴を通したD45H8 NPN PNPのトランジスター60V 10A 50W
穴TO-220ABを通したD45H8 NPN PNPのトランジスター両極（BJT）トランジスターPNP 60V 10A 50W 補足力トランジスター 特徴 ■の低いコレクター エミッターの飽和電圧 ■の速い切り替え速度 適用 ■の電力増幅器 ■の切換え回路 記述 装置は低電圧の多エピタキシアル平面の技術で製造されます。それらは一般目的の線形および切換えの適用のために意図されています 製品特質 すべてを選んで下さい 部門 分離した半導体製品 トランジスターは- （BJT）両極-選抜します 製造業者 STMicroelectronics シリーズ - 包装 管 部分の状態 時代遅れ トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター（（最高） IC） 10A 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） 60V Vceの飽和（最高） @ Ib、IC 1V @ 400mA、8A 現在-コレクター......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
確認済みサプライヤー
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
BSH201 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA （Ta）の417mW （Ta）表面の台紙
BSH201 NPN PNPのトランジスターPチャネル60V 300mA （Ta）の417mW （Ta）表面の台紙 Pチャネルの強化モードBSH201 MOSのトランジスター 特徴の記号の即時参考データ•低い境界の電圧VDS = -60ボルト•速い切換え•論理の水平な互換性があるID = -0.3 A•Subminiature表面の台紙のパッケージRDSの（） ≤ 2.5のΩ （VGS = -10 V） SOT23をピンで止める概説 Pチャネル、強化モード、PINの記述の論理のレベル、分野効果力トランジスター。この装置にそれに2つの源の電池式の適用および高速デジタル インターフェイスのための理想をする低速1のゲートの境界の電圧および非常に速い切換えがあります。3下水管 BSH201はSOT23 subminiature表面取り付けのパッケージで供給されます。 製品特質 すべてを選んで下さい......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
確認済みサプライヤー
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧
2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN PowerTransistor 記述 ·低いコレクターの飽和電圧 ·テストされる100%のなだれ ·強い装置性能および信頼できる操作のための最低のロットにロットの変化 適用 ·高い転移の頻度適用 指定 部門:BJT -一般目的 製造業者:RENESASの技術 コレクター流れ（DC）:3 （A） コレクター基盤の電圧:60 （V） コレクター エミッターの電圧:60 （V） エミッター基盤の電圧:7 （V） 頻度:120 （MHz） 電力損失:2 （W） 取付け:表面の台紙 作動の臨時雇用者の範囲:-55Cへの150C パッケージのタイプ:TO-252 ピン・カウント:2 +Tab 要素の数:1 実用温度の分類:軍 部門:両極力 堅くなるラド:いいえ トランジスター極性:NPN 出力電力:要求されない（W） 構成:単一 DCの現在......
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
確認済みサプライヤー
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
PB自由なNPN PNPのトランジスターTPS62141RGTR力LDMOSのトランジスター
NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS62141RGTR Vin （分） （v） 3 Vin （最高の） （v） 17 Vout （分） （v） 1.8...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
7F、造るFのLongjing科学公園、335 Bulongの道、Ma Antangのコミュニティ、Bantianの通り、Longgang地区、シンセン、中国
を提出してください “npn pnp transistor”
This supplier has been verified by Everychina.com. Our verification process includes: 3 on-site visits by Everychina.com's service team!
Business license check OK
