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1 - 10 の結果 n channel mosfet から 11138 製品
STL150N3LLH5 N-CH MOSFET IC 30V 195A POWERFLAT NPチャネルモスフェット
STL150N3LLH5 MOSFET N-CH 30V 195A パワーフラット N P チャネル モスフェット 製造者: STMマイクロ電子機器 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パ...
Wisdtech Technology Co.,Limited
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部屋1205-1207 ナンガングビル フアフ・ロード 福建区 シェンゼン 広東 中国
PMCXB900UE 20V補完 N/Pチャネル トレンチ MOSFET N Pチャネル モスフェット
PMCXB900UE 20V補完 N/Pチャネル トレンチ MOSFET 製造者: ネクスペリア 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: DFN-1010-...
Wisdtech Technology Co.,Limited
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部屋1205-1207 ナンガングビル フアフ・ロード 福建区 シェンゼン 広東 中国
STL150N3LLH5 MOSFET Nチャネル 30 V パワーFLAT NPチャネル モスフェット
STL150N3LLH5 MOSFET Nチャネル 30V パワーFLAT 製造者: STMマイクロ電子機器 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: パワーFLAT-5x6-8...
Wisdtech Technology Co.,Limited
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部屋1205-1207 ナンガングビル フアフ・ロード 福建区 シェンゼン 広東 中国
OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード
OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード NチャネルMosfetのトランジスター記述 UTC 12N60-Cは速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つように設計されている...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
IRFP2907PBF パワー エレクトロニクス アプリケーション向け高性能 N チャネル MOSFET
IRFP2907PBF パワー エレクトロニクス アプリケーション向け高性能 N チャネル MOSFET IRFP2907PBF MOSFET この MOSFET は、ドレイン-ソース間電圧 100V、ドレイン電流 19A の...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
BSC070N10NS5 MOSFET パワー エレクトロニクス 低ゲート電荷 N チャネル MOSFET
BSC070N10NS5MOSFET力電子デバイス高いパフォーマンスとレルできる力スイッチしている解決 NチャンネルMOSFET、BSC070N10NS5 製品説明： BSC070N10NS5 は、ドレイン-ソース間のオン抵抗が低い高速、高電圧 N チャネル...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
200v NチャネルMosfetのトランジスター表面の台紙IRF640NSTRLPBF
IRF640NSTRLPBF NチャネルMOSFETのトランジスター200V表面の台紙D2PAK 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet タイプの...
Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd
2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン
OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード
OEM NチャネルMosfetのトランジスター、小さいMosfetの電源スイッチの強化モード NチャネルMosfetのトランジスター記述 UTC 12N60-Cは速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つように設計されている...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
を提出してください “n channel mosfet”
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