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1 - 10 の結果 mosfet power transistor から 10000 製品
Pは無鉛すくいMosfet力トランジスター100V 40A 200W TO-220 IRF5210PBFを運びます
IRF5210PBF Pチャネル100V 40A 200W TO-220のすくいMosfet力トランジスター 記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFETsが有名のためにである...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
切換えのための2SC5589東芝200kHz Mosfet力トランジスター
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ダーリントン両極Mosfet力トランジスターTIP142アンプの切換えの適用
ダーリントン アンプおよび切換えの塗布のための両極Mosfet力トランジスターTIP142 TIP140、TIP141、TIP142、（NPN）;TIP145、TIP146、TIP147、（PNP）記述 装置は「基礎島」のレイアウトおよびダーリントン単一構成の平面の技術で製造されます。非常に低...
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承認される高利得性能Mosfet力トランジスターNPNダーリントンTIP122 ROHS
MOSFETトランジスタTIP122ダーリントンNPN 100V 5A 2000mW TO220パワートランジスタ TIP120、TIP121、TIP122 TIP125、TIP126、TIP127 説明 デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリシックダーリントン構成の平...
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ダーリントン両極Mosfet力トランジスターTIP147 10A現在の100V電圧
MOSFETトランジスタTO-3P TIP147 10A 100V PNPダーリントンバイポーラパワートランジスタ TIP140、TIP141、TIP142、（NPN）; TIP145、TIP146、TIP147、（PNP） 説明 デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトとモノリ...
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IRF3205PbF Mosfet力トランジスター175°C実用温度の超低いオン抵抗
IRF3205PbFHEXFET®パワーMOSFET 55V 98A TO-220 MOSFETトランジスタ 説明 International Rectifierの高度なHEXFET®パワーMOSFETは、高度な処理技術を利用して、シリコン面積あたりの非常に低いオン抵抗を実現します。...
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電力回路大将のための現在の31A Mosfet力トランジスターIRFR5305TRPBF電圧55V
電力回路大将のためのIRFR5305TRPBFのトランジスターTO252 55V 31A力MOSFET IRFR5305PbF IRFU5305PbF 記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵...
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電気通信/産業使用IRLR7843TRPBFのための高周波Mosfet力トランジスター
電気通信および産業使用のためのトランジスターIRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A力MOSFET IRLR7843PbF IRLU7843PbF 記述 非絶縁DC/DCのコンバーターのための力MOSFETの選択...
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IR2110PBF IGBTの運転者ICの破片Mosfet力トランジスター半分橋ゲートの運転者IC 14-DIP
IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS...
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保証24か月のの電気オートバイ18 Mosfet力トランジスター
電気オートバイ18のmosfets 35Aのコントローラー48-96vの工場のための輸入された力トランジスターは指示します 私達のコントローラーの指定 演劇をよくするためにはコントローラーの性能およびプロダクト安定性は、私達のコントローラーの使用すべて力トランジスターを輸入しました。...
常州Suringモーター技術CO.、株式会社
建物8、No.320-1のGufangの道、Wujinの国民のハイテクな産業発展の地帯
を提出してください “mosfet power transistor”
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