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1 - 10 の結果 mosfet power amp から 17286 製品
NTGS3443T1G MOSFETのパワー エレクトロニクス4.4 Amps P−Channel 20ボルトのTSOP−6
NTGS 3443 T1G MOSFETのパワー エレクトロニクス4.4 Amps P−Channel 20ボルトのTSOP−6 流出させなさいに源の電圧（Vdss） 20ボルト...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
多機能Mosfet力トランジスター ハロゲン-利用できる無料のデバイス
多機能Mosfet力トランジスター ハロゲン-無料のデバイス利用できるMosfet力トランジスター記述は力MOSFETタイプのMOSFETである。力MOSFETの運営原則は一般的なMOSFETに類似している。力のMOSFETSは非常に特別力のhigh-levelを扱うためにである。それは高い切り替え速度を示し、正常なMOSFETによって比較によっ...
Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD
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第9床、建物AのFuyong Heping Otomoの建物、Baoan地区、シンセン
多機能Mosfet力トランジスター ハロゲン-利用できる無料のデバイス
多機能Mosfet力トランジスター ハロゲン-利用できる無料のデバイス Mosfet力トランジスター記述 力MOSFETはタイプのMOSFETです。力MOSFETの運営原則は一般的なMOSFETに類似しています。力のMOSFETSは非常に特別力の高レベルを扱うためにです。それは高い...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
あなたの適用のためのIRFP460APBF MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の信頼性
あなたの適用のためのIRFP460APBF MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の信頼性 このIRFP460APBF MOSFETは高性能、低価格、力MOSFETである。それは低境界の電圧およびhigh-current機能を特色にする。このMOSFETにそれを転換...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
BSC070N10NS5 MOSFET パワー エレクトロニクス 低ゲート電荷 N チャネル MOSFET
BSC070N10NS5MOSFET力電子デバイス高いパフォーマンスとレルできる力スイッチしている解決 NチャンネルMOSFET、BSC070N10NS5 製品説明： BSC070N10NS5 は、ドレイン-ソース間のオン抵抗が低い高速、高電圧 N チャネル...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
45ワット12.8V 2の段階パワー アンプのトランジスターRA45H8994M1-101 IECの標準
RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V、2は移動式ラジオのためのAmp. RFのトランジスターを上演します 記述 RA45H8994M1は- 941 MHz範囲へ… 896で作動する12.8ボルトの移動式ラジオのための45ワットRF MOSFETのア...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
携帯ラジオH46SのパッケージのためのRA03M8087M-101 Mosfet力トランジスター
RA03M8087M-101 806-870MHz 3.6W 7.2V、2は携帯ラジオのためのAmp. RF Powerのトランジスターを上演します 記述 RA03M8087Mは870 MHz範囲に806で作動する7.2ボルトの携帯ラジオのための3.6ワットRF MOSFETのアンプ モジュールです。電池は強化モードMOSFETのトランジスターの下水管に直接接続することができます。ゲートの電圧（VGG=0V）なしで、小さい漏出流れだけ下水管に流れ、RFの入力信号は60までdBを減少させます。ゲートの電圧として出力電力および下水管の現在の増加は増加します。大幅に2.5Vの（最低）、出力電力および下水管の現在の増加のまわりのゲートの電圧を使って。わずかな出力電力は3V （典型的な）および3.5V （最高）で利用できるようになります。VGG=3.5Vで、典型的なゲートの流れは1 mAです。このモ......
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
携帯ラジオH46SのパッケージのためのRA03M8087M-101 Mosfet力トランジスター
RA03M8087M-101 806-870MHz 3.6W 7.2V、2は携帯ラジオのためのAmp. RF Powerのトランジスターを上演します 記述 RA03M8087Mは870 MHz範囲に806で作動する7.2ボルトの携帯ラジオのための3.6ワットRF MOSFETのアンプ...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
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多機能Mosfet力トランジスター ハロゲン-利用できる無料のデバイス
多機能Mosfet力トランジスター ハロゲン-利用できる無料のデバイス Mosfet力トランジスター記述 力MOSFETはタイプのMOSFETです。力MOSFETの運営原則は一般的なMOSFETに類似しています。力のMOSFETSは非常に特別力の高レベルを扱うためにです。それは高い...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
を提出してください “mosfet power amp”
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