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1 - 10 の結果 mosfet driver circuit から 10393 製品
TC4426 TC4427TC4428マイクロチップPMIC1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバIC
TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICPMIC TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICTC4426EOA713 TC44...
Angel Technology Electronics Co
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FL16 沿海ビルディング 東ブロック 南山区 深セン 中国 518000
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路 Npn力トランジスター塗布 DCコンバーターへのDC 低電圧モーター コントローラー これらはの200Vよりより少し低電圧スイッチで広く利用されています Npn力トランジスター記述...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
集積回路の破片A4989SLDTR-T二重完全な橋MOSFETの運転者IC TSSOP38
集積回路の破片A4989SLDTR-T二重完全な橋MOSFETの運転者IC TSSOP38 A4989SLDTR-Tの製品の説明 A4989SLDTR-Tは高い発電の産業両極2フェーズ ステッピング モーター（500 W）の広い範囲をへの普通30運転するために適した統合されたm...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
確認済みサプライヤー
1239新しいアジアGuoliの建物のZhenzhongの道。、Futian地区シンセン中国
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路
-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路 Npn力トランジスター塗布 DCコンバーターへのDC 低電圧モーター コントローラー これらはの200Vよりより少し低電圧スイッチで広く利用されています Npn力トランジスター記述...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
FDS6681Zの高い発電P Mosfetスイッチ回路、PチャネルMosfetの運転者回路
FDS6681Z Mosfet力トランジスターMOSFET 30VのP-ChannelのPowerTrench MOSFET 概説の特徴 このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った高度のPowerTrench®プロ...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
CSD25402Q3A 650 MV力Mosfetの運転者回路、高い発電Mosfetのトランジスター
CSD25402Q3A Mosfet力トランジスターMOSFET P-CH Pwr MOSFET 1特徴 超低いQgおよびQgd 低い熱抵抗 低いRDS （） 自由なPbおよびハロゲン 迎合的なRoHS 息子× 3.3 mmの3.3 mm...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
トランジスター100V N-Channel PowerTrenchを使用してFDMS3662 Mosfetの運転者回路
FDMS3662 Mosfet力トランジスターMOSFET 100VのN-Channel PowerTrench 特徴 最高rDS （） = 14.8mΩのVGS = 10V、ID = 8.9A 低いrDSのための高度のパッケージおよびケイ素の組合せ（） MSL1強いパッケ...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
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FDMS6681Z PチャネルMosfetの運転者回路、力のスイッチング・トランジスタPowerTrench
FDMS6681Z Mosfet力トランジスターMOSFET -30VのP-Channel PowerTrench 特徴 最高rDSの（） = 3.2 mΩのVGS = -10ボルト、ID = -21.1 A MaxrDS （） =5.0mΩatVGS =-4.5V、ID =...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
半導体の集積回路の破片MOSFETの運転者MIC5016BWMの低い側面
MIC5016BWM MICRELの半導体-低価格の二重高またはLOW-SIDE MOSFETの運転者 詳しい製品の説明 電圧-供給: 2.75 V | 30ボルト 実用温度: -40°C | 85°C タイプの取付け: 表面の台...
シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社
2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン
NCP81155MNTXGのゲートの運転者VR12.5の同期木びき台MOSFETの運転者VR12.5の同期木びき台MOSFETの運転者
ゲートの運転者VR12.5の同期木びき台MOSFETの運転者VR12.5の同期木びき台MOSFETの運転者 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: onsemi 製品カテゴリ: ゲートの運転者...
QIN XIN （香港）の電子技術CO.は、限った
FLAT/RM D52 3/F WONG王工業ビル2TAU=I YAUの通り無し
を提出してください “mosfet driver circuit”
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