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1 - 10 の結果 medium power transistor から 24751 製品
熱抵抗NチャネルMosfetスイッチ、中型力トランジスター
AOD418/AOI41830V NチャネルMOSFET 概説 AOD418/AOI418使用高度の堀の技術への優秀なR DS （）、低いゲート充満および低いゲートを提供して下さい抵抗。の優秀な熱抵抗を使ってDPAK/IPAKのパッケージは、この装置最高のためにうってつけです現在の負...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
80V 1A SOT89 BCX56-10 NPNの中型力トランジスター
BCX56-10# 80V 1A 1.25W NPNの中型力トランジスターSOT89 特徴 ■高い流れ ■2つの現在の利益選択 ■高い発電の消滅の機能 適用 ■線形電圧安定器 ■低側のスイッチ ■MOSFETの運転者 ■アンプ デリ...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
HMC442LC3BTR RF力トランジスター-高速適用のための偉大な人
プロダクト:HMC442LC3BTR RF力トランジスター 記述: HMC442LC3BTRは高利得の宇宙航空および商業軍隊を含む広い応用範囲の使用のために適しているSiCのヘテロ接合FETの中型力GaNである。 特徴: - 高利得、SiCの...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702のDingchengの国際的な建物、Zhonghangの道、福田区、シンセン
BCX56力Mosfet ICのトランジスターNPNケイ素の平面の中型力トランジスター
SOT89 NPNのケイ素の平面の中型力トランジスターBCX56 記述 コレクター基盤の電圧:100V コレクター エミッターの電圧:80V エミッター基盤の電圧:5V ピーク脈拍の流れ:2A 連続的なコレクター流れ:1A...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
BCX56-16,147 パワーMOSFET IC トランジスタ NPN シリコンプレーナ中型パワートランジスタ
Array...
ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN
ZTX753 PNPのケイ素の平面の中型力トランジスター可聴周波力mosfetのsmd力mosfet
ZTX753 PNPのケイ素の平面の中型力トランジスター 特徴 * 100ボルトVCEO * 2つのAmpの連続的な流れ *低い飽和電圧 * Ptot=1ワット 絶対最高評価 変数 記号 ZTX653...
ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN
ZTX653 NPNのケイ素平面の（中型力トランジスター）転換力mosfet
ZTX653NPNのケイ素平面の（中型力トランジスター）転換力mosfet 特徴 * 100ボルトVCEO * 2つのAmpの連続的な流れ *低い飽和電圧 * Ptot=1ワット 絶対最高評価 変数 記号 Z...
ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN
熱抵抗NチャネルMosfetスイッチ、中型力トランジスター
AOD418/AOI41830V NチャネルMOSFET 概説 AOD418/AOI418使用高度の堀の技術への優秀なR DS （）、低いゲート充満および低いゲートを提供して下さい抵抗。の優秀な熱抵抗を使ってDPAK/IPAKのパッケージは、この装置最高のためにうってつけです現在の負...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
NPN低いVCEsat Mosfet力トランジスターPNP補足物PBSS4160T
PBSS5160TへのSOT23プラスチック パッケージPNPの補足物のPBSS4160T NPN低いVCEsatのトランジスター 特徴•低いコレクター エミッターの飽和電圧VCEsat•高いコレクター流れの機能ICおよびICM•高性能は、熱生成を減らします•必要なプリント回路板区域を減らします•中...
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
を提出してください “medium power transistor”
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