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512Kb記憶容量のフラッシュ・メモリの破片CAT24C512WI-GT3 EERPOM連続I2Cインターフェイス

China 512Kb記憶容量のフラッシュ・メモリの破片CAT24C512WI-GT3 EERPOM連続I2Cインターフェイス on sale
CAT24C512WI-GT3フラッシュ・メモリの破片SOIC-8 EEPROM I2C連続512Kb 記述 CAT24C512は内部的に8ビットの65,536ワードそれぞれとして組織されるEERPOM連続512−Kb I2Cです。それは128−byteページを書き、緩衝を支えます標準を(...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031

4 ‑ Kbit 512 x 8フラッシュ・メモリの破片AT24C04C-SSHM-T Iの² Cの多用性がある連続EEPROM

China 4 ‑ Kbit 512 x 8フラッシュ・メモリの破片AT24C04C-SSHM-T Iの² Cの多用性がある連続EEPROM on sale
フラッシュ・メモリの破片AT24C04C-SSHM-T Iの²のC互換性がある連続EEPROM 4 ‑ Kbit (512 x 8) 標準機能 • 低電圧操作:– VCC = 1.7Vへの5.5V•内部的には512としてx 8 (4K)または1,024 x 8組織されて(8K)•産業温...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031

8 Kbit 1K Xの8フラッシュ・メモリの破片AT24C08C-SSHM-T連続EEPROM

China 8 Kbit 1K Xの8フラッシュ・メモリの破片AT24C08C-SSHM-T連続EEPROM on sale
8 ‑のKbit 1K x 8のフラッシュ・メモリの破片AT24C08C-SSHM-T Iの² C多用性がある連続EEPROM 標準機能 • 低電圧操作:– VCC = 1.7Vへの5.5V•内部的には512としてx 8 (4K)または1,024 x 8組織されて(8K)•産業温度較差...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031

AT25DF641-S3H-Tのフラッシュ・メモリIC 64Mb SPI 100MHz 16-SOIC

China AT25DF641-S3H-Tのフラッシュ・メモリIC 64Mb SPI 100MHz 16-SOIC on sale
AT25DF641-S3H-Tのフラッシュ・メモリIC 64Mb (256のバイトXの32Kページ) SPI 100MHz 16-SOIC 64メガビットの2.7ボルト最低SPIの連続フラッシュ・メモリ 製品仕様書 包装 テープ及び巻き枠(TR)...
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
609第4018のbaoan道、Xixiangの通り、Baoan地区、シンセン、広東省

MASSTOCK ICのフラッシュ4M SPI 20MHZのフラッシュ・メモリICの破片28TSOP AT45DB041B-TU

China MASSTOCK ICのフラッシュ4M SPI 20MHZのフラッシュ・メモリICの破片28TSOP AT45DB041B-TU on sale
MASSTOCK ICのフラッシュ4M SPI 20MHZ 28TSOP AT45DB041B-TU AT45DB041Bは理想的にいろいろデジタル音声、イメージ、プログラム コードおよびデータストレージの適用に適するSPIの多用性があるシリアル・インタフェースのフラッシュ・メモリである。記...
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
609第4018のbaoan道、Xixiangの通り、Baoan地区、シンセン、広東省
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