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1 - 10 の結果 internal flash memory から 36410 製品

IP54 格付けと 2 GB 内部フラッシュメモリ エマーソン TREXCHPNA9S1S トレックス デバイスコミュニケーション 円滑な動作

China IP54 格付けと 2 GB 内部フラッシュメモリ エマーソン TREXCHPNA9S1S トレックス デバイスコミュニケーション 円滑な動作 on sale
エマーソン TREXCHPNA9S1S トレックスデバイスコミュニケーション エマーソン TREXCHPNA9S1S トレックスデバイスコミュニケーション ハートアプリケーション 1年標準サポート製造施設内や周辺の厳しい条件に耐えるように設計され,安全で評価されていますTREXCHPNA9S1S...
Mengchuan Instrument Co,Ltd.
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58 Longheの道、Liushiの町、温州市、浙江、中国325604

S25FL256SDSMFB010フラッシュ・メモリはエラー修正 ハードウェアを欠く

China S25FL256SDSMFB010フラッシュ・メモリはエラー修正 ハードウェアを欠く on sale
S25FL256SDSMFB010フラッシュ・メモリの破片 エラー修正16-SOICパッケージの自動ECC内部ハードウェア 記憶タイプ 不揮発性 記憶フォーマット フラッシュ 技術 フラッシュ- 記憶容量 256Mbit 記憶構成 32M x 8 記憶インターフェイス SPI -クォード入力/出力 クロック周波数 80のMHz 周期にタイムの単語、ページを書きなさい - 電圧-供給 2.7V | 3.6V 実用温度 -40°C | 105°C (TA) タイプの取付け 表面の台紙 パッケージ/場合 16-SOIC (0.295"、7.50mmの幅) 製造者装置パッケージ 16-SOIC 特徴 •多目的な入力/出力とのCMOS 3.0 Vの中心 •複数の入力/出力とのSPI - SPIの時計極性および段階モード0および3 - DDRの選択 - 延長演説:24 -または32ビット住所選択 -......
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen

MX29F400CBTI-70Gのフラッシュ・メモリは-高性能および信頼できるデータ記憶の解決を欠く

China MX29F400CBTI-70Gのフラッシュ・メモリは-高性能および信頼できるデータ記憶の解決を欠く on sale
MX29F400CBTI-70Gのフラッシュ・メモリの破片 製品の説明: MX29F400CBTI-70GはMacronixインターナショナルが製造した高性能4Mb (512Kx8) CMOSのフラッシュ・メモリの破片である。それは速いプログラムを提供し、70nsまでの操作および低い電力...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen

AT24C512C-XHM-Tのフラッシュ・メモリは5V 512Kb連続EEPROM I2Cのインターフェイスを欠く

China AT24C512C-XHM-Tのフラッシュ・メモリは5V 512Kb連続EEPROM I2Cのインターフェイスを欠く on sale
24C512 C-XHM-Tでフラッシュ・メモリは5V 512Kb連続EEPROM I2Cのインターフェイスを欠く プロダクト リスト: AT24C512C-XHM-Tのフラッシュ・メモリの破片...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702, Dingcheng international building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen

オリジナル プログラミング IC チップ 256K 32K X 8 5 ボルトのみ Cmos フラッシュ メモリ AT29C256-12JC

China オリジナル プログラミング IC チップ 256K 32K X 8 5 ボルトのみ Cmos フラッシュ メモリ AT29C256-12JC on sale
オリジナル プログラミング IC チップ 256K 32K X 8 5 ボルトのみ Cmos フラッシュ メモリ AT29C256 256K (32K x 8) 5 ボルト専用フラッシュ メモリ AT29C256 &...
ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

512Kb記憶容量のフラッシュ・メモリの破片CAT24C512WI-GT3 EERPOM連続I2Cインターフェイス

China 512Kb記憶容量のフラッシュ・メモリの破片CAT24C512WI-GT3 EERPOM連続I2Cインターフェイス on sale
CAT24C512WI-GT3フラッシュ・メモリの破片SOIC-8 EEPROM I2C連続512Kb 記述 CAT24C512は内部的に8ビットの65,536ワードそれぞれとして組織されるEERPOM連続512−Kb I2Cです。それは128−byteページを書き、緩衝を支えます標準を(...
シンセンATFUの電子工学の技術株式会社
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031

AT29C256-70PC IC 256K 32K X 8つの5ボルトのフラッシュ・メモリの電子部品

China AT29C256-70PC IC 256K 32K X 8つの5ボルトのフラッシュ・メモリの電子部品 on sale
AT29C256-70PC IC 256K 32K X 8 5ボルトの唯一のCMOSのフラッシュ・メモリ 特徴 速い読み取りアクセスタイムの70 ns 5ボルトにプログラムし直すだけ ページ プログラム操作 –単一周期はプログラムし直す(消去およびプログラム) – 6...
ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

AT29C040A-90PI 集積回路チップ電源 ic チップフラッシュメモリ ic

China AT29C040A-90PI 集積回路チップ電源 ic チップフラッシュメモリ ic on sale
4 メガビット (512K x 8) 5 ボルトのみ 256 バイト セクター フラッシュ メモリ AT29C040A 特徴 • 高速読み取りアクセス時間 – 90 ns • 5ボルトのみの再プログラミング • セクタープログラムの運用 – シングルサイクル...
ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

512Kb記憶容量のフラッシュ・メモリの破片CAT24C512WI-GT3 EERPOM連続I2Cインターフェイス

China 512Kb記憶容量のフラッシュ・メモリの破片CAT24C512WI-GT3 EERPOM連続I2Cインターフェイス on sale
CAT24C512WI-GT3フラッシュ・メモリの破片SOIC-8 EEPROM I2C連続512Kb 記述 CAT24C512は内部的に連続512−Kb I2Cが8ビットの65,536ワードそれぞれとして組織したEERPOMである。それは緩衝を書くために128−byteページを特色にし、...
ChongMingのグループ(HK)国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
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