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Nは高圧モスフェット 650V 10A高精度なRoHS迎合的なTO-220Fを運びます

China Nは高圧モスフェット 650V 10A高精度なRoHS迎合的なTO-220Fを運びます on sale
Nは高圧Mosfet 650V 10A高精度なRoHS迎合的なTO-220Fを運びます 適用 アダプター及び充電器 SMPSの予備発電 AC-DCの切換えの電源 LEDの運転力 特徴 抵抗の低速 低いゲート充満 ピーク電流対脈拍幅のカーブ 迎合的なRoHS 発注情報 部品番号: H10N65 指定:600V 10A...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Tiananのサイバー公園、No.1 Huangjinの道、Nancheng地区、トンコワン都市、広東省、中国

OEM高圧Mosfetのトランジスター/AP10H03DF Uhf力トランジスター

China OEM高圧Mosfetのトランジスター/AP10H03DF Uhf力トランジスター on sale
OEM高圧Mosfetのトランジスター/AP10H03DF Uhf力トランジスター 高圧Mosfetのトランジスター記述: AP10H03DFは高性能の堀です極度で高い細胞密度のN CH MOSFETs、優秀なRDSONを提供し、充満をゲートで制御するかどれが小さい力の切換えのほとん...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省

トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者

China トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者 on sale
元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお...
Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD
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第9床、建物AのFuyong Heping Otomoの建物、Baoan地区、シンセン

トランジスターを使用して元の高圧Mosfet力トランジスターMosfetの運転者

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元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお...
Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD
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第9床、建物AのFuyong Heping Otomoの建物、Baoan地区、シンセン

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者

China 元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 on sale
元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省

FDA50N50高圧Mosfetのトランジスター48A 500V DMOS AC−DC電源のトランジスター

China FDA50N50高圧Mosfetのトランジスター48A 500V DMOS AC−DC電源のトランジスター on sale
FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
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部屋Lの第23床、建物B、Duhui 100、Zhonghang Rdの福田区、シンセン都市、広東省

500V 5AのN-Channel MOSFETは高圧MOSFETプロセスAOD5N50を進めた

China 500V 5AのN-Channel MOSFETは高圧MOSFETプロセスAOD5N50を進めた on sale
AOD5N50 500V、5A N-Channel MOSFET 概説 AOD5N50は普及したAC-DCの適用の性能そして強さのハイ レベルを提供するように設計されている高度の高圧MOSFETプロセスを使用して製造される。低いRDSの提供によって()、保証されたなだれの機能と共にCissそし...
ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
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ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN

OEM高圧Mosfetのトランジスター/AP10H03DF Uhf力トランジスター

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OEM高圧Mosfetのトランジスター/AP10H03DF Uhf力トランジスター 高圧Mosfetのトランジスター記述: AP10H03DFは高性能の堀です極度で高い細胞密度のN CH MOSFETs、優秀なRDSONを提供し、充満をゲートで制御するかどれが小さい力の切換えのほとん...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者

China 元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 on sale
元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省

RS2AによるRS2MはMosfet、高圧Mosfet力0.002オンス0.002オンス0.07のGrams0.07グラム二倍になります

China RS2AによるRS2MはMosfet、高圧Mosfet力0.002オンス0.002オンス0.07のGrams0.07グラム二倍になります on sale
RS2Mの表面の台紙電圧-前方流れ50から1000ボルトのを通したRS2Aは回復整流器の逆-2.0アンペア絶食します 特徴 プラスチック パッケージは保険業者の実験室を運びます 燃焼性の分類94V-0 表面のため取付けられた適用 低い逆の漏出 自動化された配置にとって理想的...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
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