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1 - 10 の結果 high speed mosfet から 100000 製品
JUYI JY213H BLDCモータードライバー MOSFET / IGBTドライバー 高速3 - 半相 - ブリッジ
JY213H高圧3段階のゲートの運転者3つの独立した高低の側面が参照されて出力チャネル 記述JY213Hは高速力MOSFETおよびIGBTです3つの独立した高低の側面が付いている運転者3段階のゲートの運転者のための参照された出力チャネル。作り付けのdeadtimeの保護およ...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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第1の車線1199のyunping道、jiading地区、上海、中国
極度で高い細胞密度の高性能Mosfet力トランジスター
極度で高い細胞密度の高性能Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスター特徴の記述 速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つことを設計されている高圧力MOSFETです。この力MOSFETは通常切換えの電源...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
10N60 K-MTQの高い流れMosfetスイッチ/10A 600VはスイッチMosfet二倍になります
10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL力MOSFET 記述 UTC 10N60K-MTQは速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つように設計されている高圧力MOSFETです。この力MOSFETは通常切換...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
線形電源のための高い切り替え速度Mosfet力トランジスター
の線形電源のための高い切り替え速度Mosfet力トランジスター 概説 •堀力MOSFETの技術•低いR DS （）•論理の水平な運転•RoHSおよびハロゲンなしの迎合的 適用 •産業およびモーター ドライブ適用 変数...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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無鉛NチャネルMosfetのトランジスター、200V 18A高速MosfetのトランジスターIRF640NPBF
MOSFET力トランジスターを転換するIRF640NPBFのすくいTRANS Nチャネル200V 18A記述 国際的な整流器からの第5世代HEXFETの®力MOSFET sはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用します。HEXFET力のMOSFE...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
極度で高い細胞密度の高性能Mosfet力トランジスター
極度で高い細胞密度の高性能Mosfet力トランジスター Mosfet力トランジスター特徴の記述 速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つことを設計されている高圧力MOSFETです。この力MOSFETは通常切換えの電源...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
10N60 K-MTQの高い流れMosfetスイッチ/10A 600VはスイッチMosfet二倍になります
10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL力MOSFET 記述 UTC 10N60K-MTQは速い切換えの時間、低いゲート充満、低いオン州の抵抗および高く険しいなだれの特徴のようなよりよい特徴を、持つように設計されている高圧力MOSFETです。この力MOSFETは通常切換...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
シンセンの追跡の電子工学Co.、株式会社
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シンセンの追跡の電子工学Co.、株式会社
部屋353の3/F Wangchengの建物、Longguanの東の道、竜華区、シンセン、中華人民共和国
シンセンの追跡の電子工学Co.、株式会社
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シンセンの追跡の電子工学Co.、株式会社
部屋353の3/F Wangchengの建物、Longguanの東の道、竜華区、シンセン、中華人民共和国
線形電源のための高い切り替え速度Mosfet力トランジスター
の線形電源のための高い切り替え速度Mosfet力トランジスター 概説 •堀力MOSFETの技術•低いR DS （）•論理の水平な運転•RoHSおよびハロゲンなしの迎合的 適用 •産業およびモーター ドライブ適用 変数...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
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