Business license check OK
1 - 10 の結果 high power transistor から 328937 製品
30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ
30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター記述 30P06D使用高度の堀優秀なR DSを提供する技術（）そして低いゲート充満。この装置はありますとしてまたは使用負荷スイッチのために適したPWMの適用。 高い発電のトラン...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
NチャネルMosの電界効果トランジスタ、高い発電のトランジスター-30V/-80A
NチャネルMosの電界効果トランジスタ、高い発電のトランジスター-30V/-80A NチャネルMosの電界効果トランジスタの記述-30V/-80A R DSの（） = 3.8 mΩ （タイプ。）@V GS = -10V R DSの（） = 6.2 mΩ （タイプ。）@VはDC/DC電池の保護命令し、示す情報C2 G045P03のためにGS = -4.5Vの100%のなだれ信頼でき、険しいハロゲン...
Otomo Semiconductor Technology (Shenzhen) Co., Ltd
確認済みサプライヤー
9th Floor, Building A, Fuyong Heping Otomo Building, Baoan District, Shenzhen
NチャネルMosの電界効果トランジスタ、高い発電のトランジスター-30V/-80A
NチャネルMosの電界効果トランジスタ、高い発電のトランジスター-30V/-80A NチャネルMosの電界効果トランジスタの記述 -30V/-80ARのDSの（） = 3.8 mΩ （typ。）@V GS = -10VRのDSの（） = 6.2 mΩ （typ。）@V GS = -...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
FDA59N30 NPN PNPのトランジスター59A 300V Nチャネル56のMOhmsの高い発電のトランジスター
FDA59N30 Pnp力トランジスター59A 300V N-Channel 56のMOhmsの高い発電のトランジスター 記述...
Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd
確認済みサプライヤー
Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
150A高い発電のトランジスター、40V NチャネルMosの電界効果トランジスタ
150A高い発電のトランジスター、40V NチャネルMosの電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター塗布 力MOSEFETの技術は多くのタイプの回路に適当です。適用は下記のものを含んでいます: 線形電源 切換えの電源 DC-DCのコンバーター 低電圧の運動制御...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ
30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター記述 30P06D使用高度の堀優秀なR DSを提供する技術（）そして低いゲート充満。この装置はありますとしてまたは使用負荷スイッチのために適したPWMの適用。 高い発電のトラン...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
NチャネルMosの電界効果トランジスタ、高い発電のトランジスター-30V/-80A
NチャネルMosの電界効果トランジスタ、高い発電のトランジスター-30V/-80A NチャネルMosの電界効果トランジスタの記述 -30V/-80ARのDSの（） = 3.8 mΩ （typ。）@V GS = -10VRのDSの（） = 6.2 mΩ （typ。）@V GS = -...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル
表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W 詳しい製品の説明 FETのタイプ: N-Channel 実用温度: -55°C | 175°C 湿気感受性のレベル（MSL）:...
シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社
2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン
150A高い発電のトランジスター、40V NチャネルMosの電界効果トランジスタ
150A高い発電のトランジスター、40V NチャネルMosの電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター塗布 力MOSEFETの技術は多くのタイプの回路に適当です。適用は下記のものを含んでいます: 線形電源 切換えの電源 DC-DCのコンバーター 低電圧の運動制御...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
を提出してください “high power transistor”
This supplier has been verified by Everychina.com. Our verification process includes: 3 on-site visits by Everychina.com's service team!
Business license check OK
