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1 - 10 の結果 high power npn transistor から 338496 製品
A92高い流れNPNのトランジスター、高い発電NPNのケイ素のトランジスター
SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA92トランジスター（NPN）を 特徴 低いコレクター エミッターの飽和電圧 高い絶縁破壊電圧 印が付いていること:A92 最高の評価（通知がなければTa=25℃）...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
確認済みサプライヤー
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
高い発電のNpnの顧客用トランジスター、速いスイッチング・トランジスタ12A
AOD442G 60V NチャネルMOSFET 概説 AOD444/AOI444コンバインの高度の堀MOSFET提供するべき低い抵抗のパッケージとの技術極端に低いR DS （）。それらの装置は使用のために適していますPWMでは、負荷切換えおよび一般目的の適用。 変数...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
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高い発電のNpnの顧客用トランジスター、速いスイッチング・トランジスタ12A
AOD442G 60V NチャネルMOSFET 概説 AOD444/AOI444コンバインの高度の堀MOSFET提供するべき低い抵抗のパッケージとの技術極端に低いR DS （）。それらの装置は使用のために適していますPWMでは、負荷切換えおよび一般目的の適用。 変数...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター
TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴■の低いコレクター エミッターの飽和電圧■補足NPN - PNPのトランジスター 適用■の一般目的■のオーディオ・アンプ 記述装置はエピタキシアル基盤の平面の技術で製造され、線形音声、力および切換え...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター
MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 （NPN） MJD117 （PNP） 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル...
Anterwell Technology Ltd.
B-9P/10N Duhui 100造る福田区、シンセン、中国
TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター
TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴■低いcollector-emitterの飽和電圧■補足NPN - PNPのトランジスター 適用■一般目的■オーディオ・アンプ 記述装置はエピタキシアル基盤の平面の技術で製造され、可聴周波の、力の線...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
A92高い流れNPNのトランジスター、高い発電NPNのケイ素のトランジスター
SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA92トランジスター（NPN）を 特徴 低いコレクター エミッターの飽和電圧 高い絶縁破壊電圧 印が付いていること:A92 最高の評価（通知がなければTa=25℃）...
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター
MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 （NPN） MJD117 （PNP） 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
BD442 PNP力トランジスター高い発電Mosfetのトランジスター/力Mosfet IC
BD442 PNP力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴 ■PNPのトランジスター 適用 ■線形および転換の産業設備 記述 この装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生じるトランジスターは例...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
MMBT4403LT1Gの切換えの高い発電mosfetのトランジスター、PNPのケイ素力トランジスター
MMBT4403LT1Gの切換えの高い発電mosfetのトランジスター、PNPのケイ素力トランジスター 高圧トランジスターNPNのケイ素 発注情報 装置順序 数パッケージのタイプ 出荷の† MMBT4403LT1 SOT−...
ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
を提出してください “high power npn transistor”
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